【ZiDongHua之推好新品榜收錄關(guān)鍵詞:Vishay MOSFET 電動汽車 儲能系統(tǒng)】

 

Vishay推出采用eSMP®系列SMFDO-219AB)封裝的全新1 A2 A Gen 7 1200 V FRED Pt®超快恢復(fù)整流器

器件Qrr低至105 nCVF1.10 V,在降低開關(guān)損耗的同時,可降低寄生電容并縮短恢復(fù)時間

 

美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年1126日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出四款采用eSMP® 系列SMF(DO-219AB)封裝的汽車級器件---VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0212-M3、VS-E7FX0112HM3VS-E7FX0212HM3,進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代1200 V FRED Pt®超快恢復(fù)整流器平臺陣容。1 A 和 2 A 整流器針對工業(yè)和汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,在同類器件中,不僅在反向恢復(fù)電荷(Qrr)和正向壓降之間實現(xiàn)了權(quán)衡,還提供了更低的結(jié)電容和更短恢復(fù)時間。

日前發(fā)布的Vishay整流器包括VS-E7FX0112-M3VS-E7FX0212-M3,以及符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的VS-E7FX0112HM3VS-E7FX0212HM3。為了降低開關(guān)損耗并提高效率,這些器件融合了低至45 ns的快速恢復(fù)時間,低至105 nC的Qrr(典型值),低至1.45 V的正向壓降和低至3.0 pF的結(jié)電容等特點。性能可靠的整流器在尺寸為4.2 mm x 1.4 mm的緊湊封裝中提供了高達(dá)21 A的非重復(fù)峰值浪涌電流,厚度低至1.08 mm,最小爬電距離僅2.2 mm。

 

器件可用作反激輔助電源的鉗位、緩沖和續(xù)流二極管,也可用作自舉驅(qū)動器功能的高頻整流器,同時可為最新快速開關(guān)IGBT和高壓Si/SiC MOSFET提供去飽和保護(hù)。VS-E7FX0112-M3、VS-E7FX0112HM3、VS-E7FX0212-M3和VS-E7FX0212HM3的典型應(yīng)用包括工業(yè)驅(qū)動器和工具、電動汽車(EV)車載充電器和電機、發(fā)電和儲能系統(tǒng),以及?uk轉(zhuǎn)換器和工業(yè)LED SEPIC電路。 

 

整流器采用平面結(jié)構(gòu),通過鉑摻雜壽命控制,在不影響性能的情況下確保系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性,同時經(jīng)過優(yōu)化的存儲電荷和低恢復(fù)電流可最大限度減少開關(guān)損耗并降低功耗。器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無鹵素,潮濕敏感度達(dá)到J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)1級,可在+175 °C高溫下工作。 

 

器件規(guī)格表:

產(chǎn)品編號

VS-E7FX0112-M3

VS-E7FX0112HM3

VS-E7FX0212-M3

VS-E7FX0212HM3

IF(AV)

1 A

1 A

2 A

2 A

VR

1200 V

IF下的VF

1.45 V

1.45 V

1.60 V

1.60 V

trr

50 ns

50 ns

45 ns

45 ns

Qrr

105 nC

105 nC

165 nC

165 nC

CT

3.0 pF

3.0 pF

3.5 pF

3.5 pF

IFSM

14 A

14 A

21 A

21 A

封裝

SMF (DO-219AB)

AEC-Q101

 

最新第7代整流器現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn),訂貨周期為8周。

 

VISHAY簡介

Vishay 是全球最大的分立半導(dǎo)體和無源電子元件系列產(chǎn)品制造商之一,這些產(chǎn)品對于汽車、工業(yè)、計算、消費、通信、國防、航空航天和醫(yī)療市場的創(chuàng)新設(shè)計至關(guān)重要。服務(wù)于全球客戶,Vishay承載著科技基因——The DNA of tech. ®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業(yè)”。