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- Vishay的新型 Siliconix 25V TrenchFET® Gen III 功率
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該器件提供了89 25nC的業(yè)界最佳導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積FOM 賓夕法尼亞、MALVERN—2008年10月29日—日前，VishayIntertechnology,Inc （NYSE股市代號(hào)：VSH）推出一款新型25Vn通道器件---SiR476DP，從而擴(kuò)展了其GenIIITrenchFET®功率MOSFE
2008-10-31 09:18:19
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- Vishay推出業(yè)界首批采用 PowerPAK SC-75封裝的
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Vishay的新型器件具有低至0 052歐姆的導(dǎo)通電阻及1 6mm×1 6mm的占位面積，適合各種消費(fèi)類便攜電子產(chǎn)品的要求 賓夕法尼亞、MALVERN—2008年8月21日—日前，VishayIntertechnology,Inc （NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布推出采用PowerPAKSC-75封裝的p
2008-08-28 09:25:16
