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- 碳化硅將推動(dòng)車(chē)載充電技術(shù)隨電壓等級(jí)的提高而發(fā)展
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雖然“續(xù)航焦慮”一直存在，但混合動(dòng)力、純電動(dòng)等各種形式的電動(dòng)汽車(chē) (EV) 正被越來(lái)越多的人所接受。汽車(chē)制造商繼續(xù)努力提高電動(dòng)汽車(chē)的行駛里程并縮短充電時(shí)間，以克服這個(gè)影響采用率的重要障礙。
2023-09-18 20:28:58
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- 東芝進(jìn)一步擴(kuò)展Thermoflagger?產(chǎn)品線---檢測(cè)電子設(shè)備溫升的簡(jiǎn)單解決方案
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中國(guó)上海，2023年9月14日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，進(jìn)一步擴(kuò)展ThermoflaggerTM過(guò)溫檢測(cè)IC產(chǎn)品線---“TCTH0xxxE系列”。該系列可用于具有正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻的簡(jiǎn)單電路中，用來(lái)檢測(cè)電子設(shè)備中的溫度升高，六款新產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-09-15 16:14:15
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- 意法半導(dǎo)體SiC技術(shù)助力博格華納Viper功率模塊設(shè)計(jì)，為沃爾沃下一代電動(dòng)汽車(chē)賦能
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意法半導(dǎo)體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅（SiC）功率MOSFET，支持沃爾沃汽車(chē)在2030年前全面實(shí)現(xiàn)電動(dòng)化目標(biāo)? 博格華納將采用意法半導(dǎo)體碳化硅芯片為沃爾沃現(xiàn)有和未來(lái)的多款純電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)電驅(qū)逆變器平臺(tái)服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）將
2023-09-14 17:51:01
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- 大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出基于Infineon產(chǎn)品的140W電源適配器方案
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2023年9月7日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飛凌（Infineon）XDPS2221芯片的140W電源適配器方案。
2023-09-07 17:00:36
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- Vishay推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的小型6 A、20 A和25 A降壓穩(wěn)壓器模塊，提高POL轉(zhuǎn)換器功率密度
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microBRICK器件采用10 6 mm x 6 5 mm x 3 mm封裝，小于競(jìng)品解決方案69 %，輸入電壓4 5 V至 60 V美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2023年9月6日
2023-09-07 16:59:00
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- 東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳封裝
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中國(guó)上海，2023年8月31日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用有助于降低開(kāi)關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-08-31 22:50:05
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- 東芝開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊，助力工業(yè)設(shè)備的高效率和小型化
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲(chǔ)能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-08-29 17:22:24
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- 東芝推出采用新型封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET，有助于汽車(chē)設(shè)備實(shí)現(xiàn)高散熱和小型化
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL?（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-08-18 00:08:03
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- 東芝低導(dǎo)通電阻車(chē)規(guī)N溝道MOSFET為車(chē)載設(shè)備賦能
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東芝低導(dǎo)通電阻車(chē)規(guī)N溝道MOSFET為車(chē)載設(shè)備賦能汽車(chē)智能化的發(fā)展使車(chē)用MOSFET蘊(yùn)含巨大增量空間，據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，在ADAS、安全、信息娛樂(lè)等功能的不斷迭代下，單車(chē)MOSFET使用量可達(dá)200-400顆，前景廣闊。
2023-08-04 15:22:36
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- 東芝推出100V N溝道功率MOSFET，助力實(shí)現(xiàn)電源電路小型化|通過(guò)減少損耗來(lái)提高電源效率，并幫助降低設(shè)備功耗
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新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開(kāi)關(guān)電路和熱插拔電路等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-06-29 14:38:47
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- 安森美 (onsemi) M3S EliteSiC MOSFET 讓車(chē)載充電器升級(jí)到 800V 電池架構(gòu)
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自電動(dòng)汽車(chē) (EV) 在汽車(chē)市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟以來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿足客戶需求和延長(zhǎng)行駛里程，電動(dòng)汽車(chē)制造商不斷增加車(chē)輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時(shí)間就越長(zhǎng)。
2023-06-27 12:06:59
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- 助力提高電源效率|東芝推出采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET|適用于數(shù)據(jù)中心、開(kāi)關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器
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該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開(kāi)關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品。
2023-06-13 17:49:08
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- Vishay推出SOP-4小型封裝集成關(guān)斷電路的汽車(chē)級(jí)光伏MOSFET驅(qū)動(dòng)器
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【ZiDongHua之新品發(fā)布臺(tái)收錄關(guān)鍵詞：VishayMOSFET驅(qū)動(dòng)器】Vishay推出SOP-4小型封裝集成關(guān)斷電路的汽車(chē)級(jí)光伏MOSFET驅(qū)動(dòng)器器件通過(guò)AEC-Q102認(rèn)證，開(kāi)關(guān)速度和開(kāi)路輸出電壓（8 5V）達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平美國(guó)賓夕法尼亞MALVERN、中國(guó)上海—2023年6月7日—
2023-06-07 22:53:59
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- 中國(guó)電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET國(guó)際先進(jìn) | 聚焦新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域
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近日，中國(guó)電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅 MOSFET技術(shù)及應(yīng)用”成功通過(guò)技術(shù)鑒定。鑒定委員會(huì)認(rèn)為，該項(xiàng)目技術(shù)難度大，創(chuàng)新性顯著，總體技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
2023-05-23 14:06:13
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- 應(yīng)用場(chǎng)景：智能手機(jī)、平板電腦、充電寶、可穿戴設(shè)備、游戲控制器、電動(dòng)牙刷、數(shù)碼單反相機(jī)等|東芝推出小型化超薄封裝共漏極MOSFET
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推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用于移動(dòng)設(shè)備鋰離子(Li-ion)電池組中的電池保護(hù)電路。
2023-05-19 11:13:20
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- 電動(dòng)汽車(chē)快充方案的關(guān)鍵|安森美與Kempower就電動(dòng)汽車(chē)充電樁達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議
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安森美為Kempower 的Satellite直流快速充電樁提供EliteSiC MOSFET和二極管。為Kempower的電動(dòng)汽車(chē)充電方案帶來(lái)更高的功率密度和整體可靠性。
2023-05-18 09:45:17
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- 提高電動(dòng)汽車(chē)和能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用的能效|安森美下一代1200 V EliteSiC M3S器件
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安森美高級(jí)副總裁兼先進(jìn)電源分部總經(jīng)理Asif Jakwani說(shuō)：“安森美最新一代汽車(chē)和工業(yè)EliteSiC M3S產(chǎn)品將助力設(shè)計(jì)人員減小其應(yīng)用占位和降低系統(tǒng)散熱要求。這有助于設(shè)計(jì)人員開(kāi)發(fā)出能效更高、功率密度更大的高功率轉(zhuǎn)換器。”
2023-05-10 11:01:29
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- 材料科學(xué)與工程|安森美：揭秘碳化硅芯片的設(shè)計(jì)和制造
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JTE技術(shù)可以在SiC MOSFET的邊緣區(qū)域形成一些深度摻雜的控制區(qū)域，這些區(qū)域可以有效地抑制移動(dòng)離子的漂移。此外，JTE技術(shù)還可以在控制區(qū)域中引入一些特殊的物質(zhì)，例如氮、硼等，這些物質(zhì)可以與移動(dòng)離子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而減少其在MOSFET中的積累和漂移。
2023-04-04 15:46:05
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- 碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體企業(yè)昕感科技連續(xù)完成兩輪融資|易凱資本擔(dān)任獨(dú)家財(cái)務(wù)顧問(wèn)
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碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體企業(yè)昕感科技宣布連續(xù)完成數(shù)億元B輪、B+輪融資。該系列融資由新潮集團(tuán)及金浦新潮領(lǐng)投，安芯投資、耀途資本、達(dá)武創(chuàng)投、芯鑫租賃等機(jī)構(gòu)共同參與，老股東藍(lán)馳創(chuàng)投、萬(wàn)物資本持續(xù)加碼。
2023-02-06 17:53:27
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- 新款MOSFET具有高額定漏極電流和低導(dǎo)通電阻|東芝推出采用新型高散熱封裝的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET，支持車(chē)載設(shè)備對(duì)更大電流的需求
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車(chē)載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導(dǎo)通電阻。
2023-02-03 14:59:48
