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- Vishay Siliconix 推出新款500V的 N溝道功率MOSFET超低導(dǎo)通電阻
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器件具有低至0 38Ω的導(dǎo)通電阻和68nC的柵極電荷，采用TO-220AB、TO-220FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝 賓夕法尼亞、MALVERN—2010年10月18日—日前，VishayIntertechnology,Inc （NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFE
2010-10-21 16:41:49
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- Vishay 新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器
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Vishay新型四通道、六通道及八通道EMI濾波器具有20pF和40pF電容量，典型切斷頻率為130MHz和240MHz 器件采用LLPXX13無(wú)鉛封裝，具有0 66mm的超薄厚度,可實(shí)現(xiàn)板面空間節(jié)約 賓夕法尼亞、MALVERN—2008年2月6日—日前，VishayIntertechnology,
2008-02-20 17:43:25
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- Vishay 新型 Z202 小型超高精度 Z 箔電阻
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Vishay新型Z202小型超高精度Z箔電阻，集±0 05ppm ℃的典型TCR、±5ppm的電阻功率系數(shù)(PCR)與±0 01%的容差等特性于一身 器件具有±0 01%的負(fù)載壽命穩(wěn)定性和高于25000V的ESD保護(hù)，在標(biāo)準(zhǔn)值范圍內(nèi)的任何容差下可調(diào)整為任意值 賓夕法尼亞、
2008-02-20 15:51:11
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- Vishay 推出業(yè)界首款 Power Metal Strip® 電阻
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Vishay推出采用3921及5931封裝尺寸且工作溫度范圍介于–65°C～+275°C的業(yè)界首款PowerMetalStrip®電阻 3W與5W器件具有低至0 001Ω的超低電阻值及1 0%與5 0%的低容差 賓夕法尼亞、MALVERN—2008年2月13日—日前，VishayIntertechnolo
2008-02-20 11:12:05
