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- 東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效率
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L
2024-09-25 13:54:39
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- 安科瑞5G基站節(jié)能及數(shù)字化管理解決方案
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截至2023年10月，我國5G基站總數(shù)達(dá)321 5萬個(gè)，占全國通信基站總數(shù)的28 1%。然而，隨著5G基站數(shù)量的快速增長，基站的能耗問題也逐漸日益凸顯，基站的用電給運(yùn)營商帶來了巨大的電費(fèi)開支壓力，降低5G基站的能耗成為了運(yùn)營商們亟待解決的問題。1、5G基
2024-07-29 08:47:36
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- 安科瑞開口式霍爾電流傳感器助力直流配電改造
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1、概述直流配電系統(tǒng)通常由高頻開關(guān)電源和蓄電池組成，用于為直流系統(tǒng)中控制、信號、繼電保護(hù)自動裝置、事故照明等提供可靠的直流電流電源，對其供電的可靠性、穩(wěn)定性以及供電質(zhì)量均有著很高的要求。因此對一些使用周期長的直流配電系統(tǒng)的改造顯得
2024-02-02 17:14:07
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- LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如何在更低負(fù)載下進(jìn)入打嗝模式
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在ACDC開關(guān)電源設(shè)計(jì)過程中，當(dāng)需要實(shí)現(xiàn)高效率設(shè)計(jì)需求時(shí)，工程師往往會考慮LLC諧振半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)，因此在開關(guān)電源設(shè)計(jì)尤其是在大功率的開關(guān)電源設(shè)計(jì)過程中往往具有優(yōu)勢。目前市面上經(jīng)?？梢钥吹降腘CP1399以及NCP13992系列就是安森美(onsemi)LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)控制芯片
2023-12-21 11:24:24
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- 適配于氮化鎵開關(guān)器件的高頻小體積照明電源方案
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隨著物聯(lián)網(wǎng)，尤其是智能照明和智能家居的發(fā)展，高效高性能的小體積電源越來越被市場所需求。如何能在電源體積做得更小的情況下，依然能夠保證最好的性能？安森美(onsemi)提供基于NCL2801+NCP13992的一整套你所需要的方案：適配于氮化鎵（GaN）開關(guān)器件，工作于高頻開關(guān)頻率場合下的小體
2023-12-19 13:53:48
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- 東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低開關(guān)損耗的4引腳封裝
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中國上海，2023年8月31日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-08-31 22:50:05
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- 直線模組的運(yùn)行注意事項(xiàng)
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直線模組的運(yùn)行注意事項(xiàng)，直線模組是屬于高精密的傳動元件，大家都知道，安裝不當(dāng)，直線模組就無法顯示其高精度的優(yōu)勢，不僅如此，使用不當(dāng)也會磨損直線模，針對直線模組的使用安全性事宜，我們切記嚴(yán)苛遵照有關(guān)的安全操作規(guī)程，這樣才能充分發(fā)揮出直線模組的功效，盡量的降低
2023-08-21 20:16:11
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- 東芝推出第3代650V SiC肖特基勢壘二極管，助力提高工業(yè)設(shè)備效率
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東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出最新一代[1]用于工業(yè)設(shè)備的碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBDs）——“TRSxxx65H系列”。首批12款產(chǎn)品（均為650V）中有7款產(chǎn)品采用TO-220-2L封裝，其余5款采用DFN8×8封裝，于今日開始支持批量出貨。
2023-07-13 17:49:24
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- 助力提高電源效率|東芝推出采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET|適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器
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該器件采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品。
2023-06-13 17:49:08
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- TPH9R00CQ5可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源|東芝的新款150V N溝道功率MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和改進(jìn)的反向恢復(fù)特性
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可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用；TPH9R00CQ5具有行業(yè)領(lǐng)先的[2]9 0mΩ(最大值)的低漏源導(dǎo)通電阻，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了約42%。
2023-03-30 15:10:30
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- Vishay推出具有低ESR的高體積效率汽車級vPolyTan?聚合物鉭片式電容器
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T51系列器件設(shè)計(jì)牢固，適用于各種惡劣環(huán)境，工作溫度可達(dá)+125 (C，溫度超過+105 (C時(shí)需降低工作電壓，高溫使用壽命達(dá)到2000小時(shí)。電容器紋波電流達(dá)到2 37 A，是高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）、信息娛樂系統(tǒng)以及其他車載電子系統(tǒng)開關(guān)電源和負(fù)載點(diǎn)（POL）電源去耦、平滑和濾波電容的理想選擇。
2023-02-01 16:01:55
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- Vishay推出超薄MTC封裝三相橋式功率模塊,提高系統(tǒng)可靠性，降低生產(chǎn)成本
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日前，Vishay宣布，推出三款采用超薄MTC封裝的新系列130 A~300 A三相橋式功率模塊，可提高重載工業(yè)應(yīng)用系統(tǒng)可靠性。130 A VS-131MT…C、160 A VS-161MT…C和 300 A VS-301MT…C系列模塊適用于焊機(jī)、開關(guān)電源、等離子切割、工業(yè)電池充電和電機(jī)控制線頻輸入整流。
2022-12-19 12:52:27
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- 東芝推出面向更高效工業(yè)設(shè)備的第三代SiC MOSFET|應(yīng)用于開關(guān)電源、光伏變頻器等
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東芝加緊對該器件 結(jié)構(gòu)進(jìn)行完善，并據(jù)此研發(fā)了第三代 SiC MOSFET。優(yōu)化電流擴(kuò)散層結(jié)構(gòu)，縮少單元尺寸。經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，相比第二代SiC MOSFET，東芝新的器件結(jié)構(gòu)將特定導(dǎo)通電阻降低了 43% ，Ron Qgd 降低了 80% ，開關(guān)損耗降低約 20% 。
2022-08-30 14:25:33
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- 安森美推新：全球首款TOLL封裝650 V碳化硅MOSFET
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【自動對焦：SiC】NTBL045N065SC1是首款采用 TOLL 封裝的 SiC MOSFET，適用于要求嚴(yán)苛的應(yīng)用，包括開關(guān)電源 (SMPS)、服務(wù)器和電信電源、太陽能逆變器、不間斷電源 (UPS) 和儲能。 該器件適用于需要滿足最具挑戰(zhàn)性的能效標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)，包括 ErP 和 80 PLUS Titanium能效標(biāo)準(zhǔn)。
2022-05-11 10:22:30
