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- Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)P溝道器件的最低導(dǎo)通電阻
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【導(dǎo)讀】賓夕法尼亞、MALVERN—2011年1月24日—日前，VishayIntertechnology,Inc （NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款8VP溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mmx2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK®SC-70封裝，具有迄今為止P溝
2011-02-25 14:41:08
