/美通社/ -- 瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時鐘驅動器芯片（DDR5 RCD04），該芯片支持高達7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率，較DDR5第一子代RCD速率提升50%，以應對新一代服務器平臺對內(nèi)存速率和帶寬不斷攀升的需求。

作為內(nèi)存接口技術的領導者，瀾起科技在 全球微電子行業(yè)標準制定機構JEDEC中牽頭制定DDR5 RCD芯片國際標準，并保持高水平研發(fā)投入，持續(xù)對產(chǎn)品進行迭代升級。自2021年發(fā)布DDR5第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片后，瀾起科技又相繼于2022年、2023年成功發(fā)布了DDR5第二子代、第三子代RCD芯片。

通過不斷升級打磨產(chǎn)品和技術，瀾起科技于近期在DDR5第四子代RCD芯片的研發(fā)上再次取得成功，進一步鞏固了公司在內(nèi)存接口芯片領域的領先地位。目前，瀾起科技已將DDR5 RCD04工程樣片送樣給主要內(nèi)存廠商，助力客戶進行新一代內(nèi)存產(chǎn)品研發(fā)。

瀾起科技總裁Stephen Tai先生表示："RCD芯片是內(nèi)存模組的核心組件，是CPU與內(nèi)存之間進行數(shù)據(jù)交互的重要通道。隨著人工智能、機器學習等應用飛速發(fā)展，不斷增長的CPU算力對內(nèi)存性能的要求日益增長。瀾起科技最新的DDR5 RCD04芯片可助力服務器系統(tǒng)突破性能瓶頸，為要求苛刻的工作負載提供關鍵支持。"

除了RCD芯片以外，瀾起科技還提供DDR5數(shù)據(jù)緩沖器（DB）、串行檢測集線器（SPD Hub）、溫度傳感器（TS）、電源管理芯片（PMIC）等內(nèi)存接口及模組配套芯片。這些芯片也是DDR5內(nèi)存模組的重要組件，可配合RCD芯片為DDR5內(nèi)存模組提供多種必不可少的功能和特性。