【ZiDongHua 之創(chuàng)新自化成收錄關(guān)鍵詞：華中科技大學(xué) 芯片制造 光刻膠 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)】
　　
　　重大突破！華科人攻克芯片光刻膠關(guān)鍵技術(shù)
 
　　
　　近日
　　
　　我校武漢光電國家研究中心團(tuán)隊
　　
　　在國內(nèi)率先攻克
　　
　　合成光刻膠所需的原料和配方
　　
　　助推我國芯片制造關(guān)鍵原材料
　　
　　突破瓶頸
　　
　　其研發(fā)的T150A光刻膠系列產(chǎn)品
　　
　　已通過半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗證
　　
　　實現(xiàn)了原材料全部國產(chǎn)
　　
　　配方全自主設(shè)計
　　
　　有望開創(chuàng)國內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造新局面
 
 
　　
　　光刻膠是一種感光材料，用于芯片制造的光刻環(huán)節(jié)，工作原理類似于照相機(jī)的膠卷曝光。芯片制造時，會在晶圓上涂上光刻膠，在掩膜版上繪制好電路圖。當(dāng)光線透過掩膜版照射到光刻膠上會發(fā)生曝光，經(jīng)過一系列處理后，晶圓上就會得到所需的電路圖。由于光刻膠是芯片制造的關(guān)鍵材料，國外企業(yè)對其原料和配方高度保密，目前我國所使用的光刻膠九成以上依賴進(jìn)口。
　　
　　武漢光電國家研究中心團(tuán)隊研發(fā)的這款半導(dǎo)體專用光刻膠對標(biāo)國際頭部企業(yè)主流KrF光刻膠系列。相較于國外同系列某產(chǎn)品，T150A在光刻工藝中表現(xiàn)出的極限分辨率達(dá)到120nm，且工藝寬容度更大、穩(wěn)定性更高、留膜率更優(yōu)，其對刻蝕工藝表現(xiàn)更好，通過驗證發(fā)現(xiàn)T150A中密集圖形經(jīng)過刻蝕，下層介質(zhì)的側(cè)壁垂直度表現(xiàn)優(yōu)異。
 
 
　　
　　團(tuán)隊在電子化學(xué)品領(lǐng)域深耕二十余載，立足于關(guān)鍵光刻膠底層技術(shù)研究，致力于半導(dǎo)體專用高端電子化學(xué)品原材料和光刻膠的開發(fā)，并以新技術(shù)路線為半導(dǎo)體制造開辟新型先進(jìn)光刻制造技術(shù)，同時為材料的分析與驗證提供全面的手段。
　　
　　團(tuán)隊負(fù)責(zé)人表示：“以光刻技術(shù)的分子基礎(chǔ)研究和原材料的開發(fā)為起點，最終獲得具有自主知識產(chǎn)權(quán)的配方技術(shù)，這只是個開始。我們團(tuán)隊還會發(fā)展一系列應(yīng)用于不同場景下的KrF與ArF光刻膠，致力于突破國外卡脖子關(guān)鍵技術(shù)，為國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)帶來更多驚喜。”
　　
　　華中科技大學(xué)（ihuster）
　　
　　來源 / 湖北日報