【“ZiDongHua”之創(chuàng)新&科技觀察：Vishay 、MOSFET】日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來(lái)取代兩個(gè)PowerPAK 1212封裝分立器件，節(jié)省50%基板空間，同時(shí)占位面積比PowerPAIR 6x5F封裝雙片MOSFET減小63%。MOSFET為USB-C電源筆記本電腦、服務(wù)器、直流冷卻風(fēng)扇和通信設(shè)備同步降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換電路和DC/DC模塊設(shè)計(jì)人員提供節(jié)省空間解決方案。這些應(yīng)用中，SiZF5302DT高低邊MOSFET提供了50%占空比和出色能效的優(yōu)質(zhì)效果，特別是在1 A到4 A電流條件下。而SiZF5300DT則是12 A到15 A重載的理想解決方案。

 

 

Vishay推出的新款對(duì)稱雙通道MOSFET可大幅節(jié)省系統(tǒng)面積并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

 

節(jié)省空間型器件所需PCB空間比PowerPAIR 6x5F封裝減少63%，有助于減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

 

 

美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2023年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款新型30 V對(duì)稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，將高邊和低邊TrenchFET® Gen V MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT適用于計(jì)算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高能效的同時(shí)，減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。

 

日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來(lái)取代兩個(gè)PowerPAK 1212封裝分立器件，節(jié)省50%基板空間，同時(shí)占位面積比PowerPAIR 6x5F封裝雙片MOSFET減小63%。MOSFET為USB-C電源筆記本電腦、服務(wù)器、直流冷卻風(fēng)扇和通信設(shè)備同步降壓轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換電路和DC/DC模塊設(shè)計(jì)人員提供節(jié)省空間解決方案。這些應(yīng)用中，SiZF5302DT高低邊MOSFET提供了50%占空比和出色能效的優(yōu)質(zhì)效果，特別是在1 A到4 A電流條件下。而SiZF5300DT則是12 A到15 A重載的理想解決方案。

 

SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異導(dǎo)通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型導(dǎo)通電阻分別為2.02 mW和2.93 mW，SiZF5302DT相同條件下導(dǎo)通電阻分別為2.7 mW和4.4 mW。兩款MOSFET 4.5 V條件下典型柵極電荷分別為9.5 nC和 6.7 nC。超低導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM），比相似導(dǎo)通電阻的前代解決方案低35 %。高頻開關(guān)應(yīng)用效率提高2%，100 W能效達(dá)到98%。

 

與前代解決方案對(duì)比

技術(shù)規(guī)格 / 器件編號(hào)

SiZF5302DT

(Gen V)

前代解決方案

(Gen IV)

SiZF5302DT對(duì)比前代解決方案

封裝

PowerPAIR 3x3FS

PowerPAIR 6x5F

63 %↓

VDS (V)

30

30

-

RDS(ON) 典型值

@ 4.5 V (mW)

4.4 (通道1)

4.4 (通道2)

4.0 (通道1)

1.2 (通道2)

-

Qg @ 4.5 V (nC)

6.7 (通道1)

6.7 (通道2)

11 (通道1)

46 (通道2)

-

FOM (m?*nC)

29 (通道1)

29 (通道2)

44 (通道1)

54 (通道2)

35 % ↓

46 % ↓

能效

@ 20 VIN / 12.5 VOUT /

800 kHZ / 100 W

98 %

96 %

2 %↑

 

器件采用倒裝芯片技術(shù)增強(qiáng)散熱能力，獨(dú)特的引腳配置有助于簡(jiǎn)化PCB布局，支持縮短開關(guān)回路，從而減小寄生電感。SiZF5300DT和SiZF5302DT經(jīng)過(guò)100% Rg和UIS測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。

 

器件規(guī)格表：

產(chǎn)品編號(hào)

SiZF5300DT

SiZF5302DT

VDS (V)

30

30

VGS (V)

+ 16 / -12

+ 16 / -12

RDS(on) 典型值 (m?) @

10 V

2.02

2.7

4.5 V

2.93

4.4

Qg (典型值) @ 4.5 V (nC)

9.5

6.7

ID (A) @

TA = 25 °C

125

100

TA = 70 °C

100

80

 

SiZF5300DT和SiZF5302DT 現(xiàn)可提供樣品并已量產(chǎn)。供貨周期信息請(qǐng)與Vishay銷售代表聯(lián)系或發(fā)送電子郵件至 pmostechsupport@vishay.com。

 

VISHAY簡(jiǎn)介

Vishay 是全球最大的分立半導(dǎo)體和無(wú)源電子元件系列產(chǎn)品制造商之一，這些產(chǎn)品對(duì)于汽車、工業(yè)、計(jì)算、消費(fèi)、通信、國(guó)防、航空航天和醫(yī)療市場(chǎng)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)至關(guān)重要。服務(wù)于全球客戶，Vishay承載著科技基因——The DNA of tech.Ô。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”。

The DNA of techÔ 是Vishay Intertechnology的商標(biāo)。TrenchFET、PowerPAIR和PowerPAK是Siliconix公司的注冊(cè)商標(biāo)。