2011-08-23 14:39:53 來源:互聯(lián)網(wǎng)

1 引 言

  單片集成是MEMS傳感器發(fā)展的一個趨勢,將傳感器結(jié)構(gòu)和接口電路集成在一塊芯片上,使它具備標(biāo)準(zhǔn)IC工藝批量制造、適合大規(guī)模生產(chǎn)的優(yōu)勢,在降低了生產(chǎn)成本的同時還減少了互連線尺寸,抑制了寄生效應(yīng),提高了電路的性能。

  本文介紹的單片集成電容式壓力傳感器,傳感器電容結(jié)構(gòu)由多晶硅/柵氧/n阱硅構(gòu)成,并通過體硅腐蝕和陽極鍵合等后處理工藝完成了電容結(jié)構(gòu)的釋放和腔的真空密封。接口電路基于電容一頻率轉(zhuǎn)化電路,該電路結(jié)構(gòu)簡單,并通過“差頻”,消除了溫漂和工藝波動的影響,具有較高的精度。

2 接口電路原理及特性

  接口電路原理圖和流水芯片照片如圖1所示。該電路由兩部分組成:電容一頻率轉(zhuǎn)化電路和差頻電路。本電路采用張馳振蕩器來實現(xiàn)電容-頻率轉(zhuǎn)化。張馳振蕩器由電流源、CMOS傳輸門、施密特觸發(fā)器構(gòu)成。電路分為充電周期和放電周期。工作原理如下:假設(shè)最初Vout高電平,則開關(guān)S11閉合,S12斷開,電路進(jìn)入充電周期,電流源I對Cs進(jìn)行充電,當(dāng)Cs上的電壓Vcs充電至施密特觸發(fā)器高閾值電平VH時,施密特觸發(fā)器發(fā)生翻轉(zhuǎn),Vout變?yōu)榈碗娖?,此時S11斷開,S12閉合,電路進(jìn)入放電周期,電流源對Cs進(jìn)行放電,當(dāng)電容上電壓Vcs下降到施密特低閾值電平VL時,輸出再次翻轉(zhuǎn),Vout變?yōu)楦唠娖?,電路又進(jìn)入充電周期。如此循環(huán),該部分電路輸出一列頻率與電容Cs相關(guān)的方波,實現(xiàn)了電容-頻率的轉(zhuǎn)化。為了實現(xiàn)差頻功能,引進(jìn)了參考電容Cr,并通過相同的G-f電路完成參考電容到參考頻率fs的轉(zhuǎn)化。D觸發(fā)器則用于實現(xiàn)信號頻率fs與參考頻率fr的差值,實現(xiàn)差頻電路功能。接口電路最后輸出頻率為


  式中:Cs為壓力傳感器敏感電容;Cr為參考電容;I為充放電電流;VH,VI分別為施密特觸發(fā)器的高、低閾值電平。


  使用Pspice對電路特性進(jìn)行模擬,圖2給出了接口電路的誤差特性曲線。從圖2中可以看出:參考頻率為100 kHz左右時,電路輸出相對誤差較小;參考頻率與傳感器頻率之差越小,電路的輸出精度越高。設(shè)計電路時,通過調(diào)整充放電電流I,使得參考頻率工作在100 kHz左右,同時通過合理設(shè)置參考電容Cr的大小,使得傳感器頻率和參考頻率差值盡可能小,以保證電路獲得較高精度。


  綜合考慮芯片面積、傳感器靈敏度和功耗因素,傳感器敏感電容設(shè)計為800 μm×800μm,初值電容為1104 pF,壓力測量范圍為80~110 kPa,在該量程內(nèi),傳感器電容由1207.4 pF變化到1220.5 pF。參考電容設(shè)計為1222 pF,以保證參考頻率和傳感器頻率差值盡可能小。充放電電流設(shè)計值為400μA,使得參考頻率fs工作在100 kHz附近(見式(1))。為保證電路具有較高的噪聲容限,施密特觸發(fā)器的高低閾值電平設(shè)計為VH=3V,VL=1V,圖3仿真了量程范圍內(nèi)電容響應(yīng)曲線及接口電路輸出頻率。芯片在無錫58所1 μm工藝線流水,見圖1(b)。


3 接口電路測試及分析

  施密特觸發(fā)器和D觸發(fā)器是電容接口電路的核心模塊,對上述電路進(jìn)行功能測試的結(jié)果如下:

  圖4(a)給出了施密特觸發(fā)器的傳輸特性,由圖4得到施密特觸發(fā)器低閾值電平VL=1.1 V、高閾值電平VH=3.05 V,與設(shè)計值基本符合。


  圖4(b)給出了D觸發(fā)器的測試結(jié)果,在fd=100.1 kHz,fck=98.04 kHz條件下,輸出頻率fout=2.06 kHz,fout與(fd-fck)=2.062(kHz)的值近似。結(jié)果表明,差頻電路在符合2/3fd

  對電路進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計時,將傳感器電容轉(zhuǎn)化后的頻率與參考電容轉(zhuǎn)化后的頻率值滿足以上條件,可以獲得較高的精度。


4 結(jié) 論

  本文介紹了一種基于電容一頻率轉(zhuǎn)化原理的電容接口電路,仿真和測試結(jié)果均表明,通過差頻,電路可以獲得較高的精度。同時較大的傳感器初值電容(1104 pF)有利于抑制寄生電容的影響,為接口電路設(shè)計帶來了方便。在80~110 kPa壓力范圍內(nèi),接口電路的分辨率約為3.77 Hz/hPa。

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