【導(dǎo)讀】器件為業(yè)界首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7 mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對(duì)稱雙通道TrenchFET®功率MOSFET；在10V下具有低至3.3mΩ的低導(dǎo)通電阻，+70℃下的最大電流為24A 　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 11 月 16 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出首款采用PowerPAIR® 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對(duì)稱雙通道TrenchFET®功率MOSFET --- SiZ710DT，新器件比前一代器件的導(dǎo)通電阻減小43%，同時(shí)具有更高的最大電流并提高效率。SiZ710DT在一個(gè)小尺寸封裝中整合了低邊和高邊MOSFET，具有業(yè)界同類器件中最低的導(dǎo)通電阻，比DC-DC轉(zhuǎn)換器中使用兩個(gè)分立器件的方案能節(jié)省很多空間。 　　Vishay將在Electronica 2010的A5-143展位進(jìn)行產(chǎn)品演示，向來賓展示在同步降壓電路中該產(chǎn)品的優(yōu)異性能和PowerPAIR封裝節(jié)省空間的功效?！　≡赑owerPAIR封裝出現(xiàn)之前，設(shè)計(jì)者只能使用兩個(gè)單獨(dú)的器件來達(dá)到系統(tǒng)電源、POL、低電流DC/DC，以及筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機(jī)所需的低導(dǎo)通電阻和更高的最大電流。SiZ710DT的性能規(guī)格使設(shè)計(jì)者能用SiZ710DT比兩個(gè)分立 PowerPAK 1212-8 器件小1/3，或是比兩個(gè)分立SO-8 器件小2/3的一個(gè)器件完成設(shè)計(jì)，節(jié)省方案成本和空間，包括兩個(gè)分立MOSFET之間的PCB間隙和標(biāo)注面積。此外，在更低電流和更低電壓應(yīng)用中替換SO-8器件還可以提高效率。 　　一片PowerPAK 1212-8或SO-8的導(dǎo)通電阻可以分別低至5mΩ或4mΩ。然而，SiZ710DT的低邊Channel 2 MOSFET利用了非對(duì)稱結(jié)構(gòu)在優(yōu)化空間上的效果，在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻低至3.3mΩ和4.3mΩ，在+25℃和+70℃下的最大電流為30A和24A。另外，高邊Channel 1 MOSFET的導(dǎo)通電阻也有改善，在10V和4.5V下分別為6.8mΩ和9.0mΩ。　　由于兩個(gè)MOSFET已經(jīng)在PowerPAIR封裝內(nèi)部連接，布線變得更加簡(jiǎn)單，同時(shí)也減小了PCB印制的寄生電感，提高了效率。此外，SiZ710DT的引腳進(jìn)行了精心布置，輸入引腳排在一側(cè)，輸出引腳排在另一側(cè)。 　　器件通過Rg和UIS的所有測(cè)試，符合RoHS指令2002/95/EC，并滿足IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。 　　器件規(guī)格表：　　
　　新款SiZ710DT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。