器件具有低至0.38 Ω的導(dǎo)通電阻和68nC的柵極電荷，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 10 月 18 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.38Ω的超低最大導(dǎo)通電阻，柵極電荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。 　　SiHP16N50C (TO-220AB)、SiHF16N50C (TO-220 FULLPAK)、SiHB16N50C (D2PAK)和SiHG16N50C (TO-247AC)的低導(dǎo)通電阻意味著更低的傳導(dǎo)損耗，從而在功率因數(shù)校正(PFC)升壓電路、脈寬調(diào)制(PWM)半橋和各種應(yīng)用的LLC拓?fù)渲泄?jié)約能源，這些應(yīng)用包括筆記本電腦的交流適配器、PC機(jī)電源、LCD TV和開放式電源。 　　除了低導(dǎo)通電阻，這些器件的柵極電荷為68nC。柵極電荷與導(dǎo)通電阻的乘積是功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)，這些MOSFET的FOM只有25.84 Ω-nC。 　　新款N溝道MOSFET使用Vishay Planar Cell技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)，該技術(shù)為減小通態(tài)電阻進(jìn)行了定制處理，可以在雪崩和通訊模式下承受高能脈沖。與前一代MOSFET相比，SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C還具有更快的開關(guān)速度，并減小了開關(guān)損耗。 　　這些器件符合RoHS指令2002/95/EC，并且經(jīng)過了完備的雪崩測試，以實現(xiàn)可靠工作。 　　新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為八周到十周。