賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 1 月 26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝?！　⌒碌腟iHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)具有600V的電壓等級，在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻僅有0.190Ω。低RDS(on)意味著更低的導(dǎo)通損耗，從而在液晶電視、個人電腦、服務(wù)器、開關(guān)電源和通信系統(tǒng)等各種電子系統(tǒng)中減少功率因數(shù)矯正(PFC)和脈寬調(diào)制(PWM)應(yīng)用的能量損耗?！　〕蛯?dǎo)通電阻之外，這些器件的柵電荷只有98nc。柵電荷與導(dǎo)通電阻的乘積是功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值(FOM)，這些器件的FOM可低至18.62Ω*nC?！　榭煽科鹨?，這些器件均進行了完整的雪崩測試，具有很高的重復(fù)(EAR)雪崩能量。新的MOSFET可處理65A的峰值電流和22A的連續(xù)電流。這四款器件均具有有效輸出容值標(biāo)準(zhǔn)。　　與前一代600V功率MOSFET相比，新器件改善了跨導(dǎo)和反向恢復(fù)特性。這些MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC?！　⌒驴頢uper Junction FET MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將于2010年第一季度實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。VISHAY簡介　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。Super Junction FET@ 是Vishay Intertechnology公司的注冊商標(biāo)。新聞聯(lián)系人：VISHAY王真（Jenny Wang）地址：上海市淮海西路 55 號 申通信息廣場 15 樓 D 座電話：（8621）52585000-6052傳真：（8621）52587979Email：Jenny.wang@vishay.com煜治時代信息咨詢（北京）有限公司喬治（George Qiao）地址：北京市朝陽區(qū)朝外大街甲6號萬通中心A座4層052室，郵編：100020電話：（8610）59071501/2傳真：（8610）59073151Email：George.qiao@geomatrixpr.com　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（自動化網(wǎng)莫銘編輯）