創(chuàng)新自化成

Vishay Siliconix首創(chuàng)將高、低MOSFET集成在同一封裝，大幅節(jié)省占位空間并降低設(shè)計(jì)難度

時(shí)間：2009-07-02 13:29:16 第一對焦：發(fā)布時(shí)間：2009年7月2日　　自動化網(wǎng)　　來源：Intersil

　　節(jié)省空間的器件在10V電壓下的導(dǎo)通電阻低至5.8 mΩ，在+70℃下的最大電流達(dá)13.9A　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2009 年 6 月 25 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出在一個(gè)封裝內(nèi)集成一對不對稱功率MOSFET系列的首款產(chǎn)品 --- SiZ700DT。該款器件的推出將有助于減少DC-DC轉(zhuǎn)換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間。SiZ700DT采用6 mm×3.7mm的新型PowerPAIRTM封裝，在一個(gè)緊湊的器件內(nèi)同時(shí)提供了低邊和高邊MOSFET，同時(shí)保持了低導(dǎo)通電阻和高最大電流的特性，比使用兩個(gè)分立器件的方案節(jié)省了很多電路板空間。PowerPAIR的厚度為0.75 mm，比厚度為1.04mm的PowerPAK 1212-8和PowerPAK SO-8封裝薄了28%?！　≡赑owerPAIR型封裝出現(xiàn)之前，工程師在設(shè)計(jì)用于筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器、游戲機(jī)的系統(tǒng)電源、POL、低電流DC-DC轉(zhuǎn)換器和同步降壓轉(zhuǎn)換器，以及工業(yè)系統(tǒng)中的DC-DC轉(zhuǎn)換器時(shí)，只能使用兩個(gè)獨(dú)立的器件來達(dá)到降低導(dǎo)通電阻和提高電流的目的?！　±纾Ｒ?guī)雙MOSFET的PowerPAK 1212-8的導(dǎo)通電阻大約是30mΩ，最大電流不到10A，因此不是可行的方案。單MOSFET的PowerPAK 1212-8的導(dǎo)通電阻降至5mΩ左右。SiZ700DT中低邊溝道的MOSFET具有類似的導(dǎo)通電阻，在10V和4.5V電壓下的導(dǎo)通電阻分別為5.8mΩ和6.6mΩ，在+25℃和+70℃溫度下的最大電流分別為17.3A和13.9A。除此以外，高邊溝道的MOSFET在10V和4.5V電壓下的導(dǎo)通電阻分別為8.6mΩ和10.8mΩ，在+25℃和+70℃溫度下的最大電流分別為13.1A和10.5A。這些指標(biāo)令設(shè)計(jì)者能夠用一個(gè)器件替代原先的兩個(gè)器件，節(jié)省成本和空間，包括兩個(gè)分立MOSFET間的空隙和標(biāo)識面積。在一些更低電流和更低電壓的應(yīng)用中，甚至可以用PowerPAIR器件替換兩個(gè)SO-8封裝的MOSFET，至少能夠節(jié)省三分之二的空間?！　∮捎趦蓚€(gè)MOSFET已經(jīng)在PowerPAIR封裝內(nèi)部連接上了，電路板的布局會更加簡單，PCB走線的寄生電感也減小了，提高了系統(tǒng)效率。此外，SiZ700DT在引腳排列上了優(yōu)化，這樣在一個(gè)典型的降壓轉(zhuǎn)換器上，輸入引腳被安排在一側(cè)，輸出引腳是在另外一側(cè)，進(jìn)一步簡化了電路板布局?！　∑骷螴EC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。性能規(guī)格表：通道　VDS　　VGS　　RDS(ON)@10V　RDS(ON)@4.5V　Qg (typ)　ID@TA=25°C ID@TA=70°C1　　20 V 　　±16 V　　8.6 mΩ　　10.8 mΩ　　　9.5 nC　　13.1 A　　10.5 A2　　20 V 　　±16 V　　5.8 mΩ　　6.6 mΩ　　　　27 nC　　17.3 A　　13.9 A　　SiZ700DT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將在5月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。VISHAY SILICONIX簡介　　Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計(jì)算機(jī)、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應(yīng)商。Vishay Siliconix的硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑，包括在業(yè)內(nèi)建成第一個(gè)基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個(gè)小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。　　創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù)，例如被設(shè)計(jì)用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負(fù)荷切換的應(yīng)用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術(shù)，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®) 和更小空間(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封裝選擇。除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復(fù)用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應(yīng)用在蜂窩電話、筆記本計(jì)算機(jī)、和固定電信基礎(chǔ)設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換元件，而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開關(guān)集成電路?！　iliconix創(chuàng)建于1962年，在1998年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。VISHAY簡介　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及提供“一站式”服務(wù)的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。PowerPAIRTM 是Siliconix Incorporated的商標(biāo)，TrenchFET®和PowerPAK® 是 Siliconix Incorporated 的注冊商標(biāo)。新聞聯(lián)系人：VISHAY王真（Jenny Wang）地址：上海市淮海西路 55 號申通信息廣場 15 樓 D 座電話：（8621）52585000-6052傳真：（8621）52587979Email：Jenny.wang@vishay.com煜治時(shí)代信息咨詢（北京）有限公司喬治（George Qiao）地址：北京市朝陽區(qū)朝外大街甲6號萬通中心A座4層052室，郵編：100020電話：（8610）59071501/2傳真：（8610）59073151Email：George.qiao@geomatrixpr.com　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　?。?a href="http://www.zkxxing.cn/" target="_blank" class="keylink">自動化網(wǎng)莫銘編輯）

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