器件具有最高32V的電源電壓，以及高達(dá)+ 110℃的工作環(huán)境溫度，2.5mA的最大電流提高了熱和電源效率
　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2009 年 6 月 8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器，豐富了其已有的光耦產(chǎn)品線。今天發(fā)布的VO3120和VO3150A的輸出電流分別為2.5A和0.5A，具有最寬的工作電壓和很高的環(huán)境工作溫度，其低功耗特性能夠?qū)崿F(xiàn)更好的熱管理，以及在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、電磁爐、電源和其他高電壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更靈活的設(shè)計(jì)?！　O3120和VO3150A都帶有一個(gè)與集成電路光學(xué)耦合的LED，功率輸出級(jí)的操作電壓范圍是15V～32V，輸出電流分別可達(dá)2.5A和0.5A。新器件的電壓和電流使其適合直接驅(qū)動(dòng)電壓等級(jí)為800V的IGBT，VO3120可驅(qū)動(dòng)電流為50A的IGBT，VO3150A可驅(qū)動(dòng)電流為20A的IGBT。驅(qū)動(dòng)器的操作電壓最高可達(dá)32V，是目前業(yè)界最高的，這樣VO3120和VO3150A可以驅(qū)動(dòng)通常需要雙面電源的更大模塊，讓設(shè)計(jì)者在挑選功率器件時(shí)有更大的選擇余地。　　兩款驅(qū)動(dòng)器的最高環(huán)境工作溫度可達(dá)+110℃，設(shè)計(jì)者可以把驅(qū)動(dòng)器放置在更靠近IGBT的位置，抑或使用更小的散熱器，從而簡(jiǎn)化熱管理。2.5A的低功耗也有助于減小功率和散熱。Vishay提供的熱模型可幫助設(shè)計(jì)者進(jìn)行熱仿真?！　　O3120和VO3150A均提供無鉛、符合RoHS指令的DIP-8和SMD-8封裝。這兩款器件現(xiàn)可提供樣品，將于2009年6月正式量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為四至六周。VISHAY簡(jiǎn)介　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場(chǎng)的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及提供“一站式”服務(wù)的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。