此款3.3mmx 3.3mm占位面積的器件在10V、4.5V和2.5V下的導通電阻分別為3.9mΩ、5.5mΩ和9.8mΩ

  賓夕法尼亞、MALVERN — 2009 年 5 月 13 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET --- Si7615DN,其導通電阻在采用PowerPAK® 1212-8型封裝的產(chǎn)品中是最低的。器件的占位面積為3.3mm x 3.3mm,只有PowerPAK® SO-8或SO-8型封裝占位面積的1/3,可大大節(jié)省電路板空間?! ⌒驴頢i7615DN提供了超低的導通電阻,在10V、4.5V和2.5V條件下的導通電阻分別為3.9mΩ、5.5mΩ和9.8mΩ。第三代TrenchFET功率MOSFET的低導通電阻意味著更低的傳導損耗,使器件在執(zhí)行開關(guān)任務(wù)時比市場上已有的P通道功率MOSFET消耗的能量更少?! i7615DN采用了與Vishay最近發(fā)布的第三代TrenchFET® 20V P通道器件Si7137DP相同的PowerPAK® SO-8封裝。為滿足各個應用的特殊需求,第三代P通道TrenchFET®封裝為設(shè)計工程師提供了多個選項,使工程師能夠在具有最大漏極電流和散熱功率的PowerPAK® SO-8封裝(分別比SO-8封裝高60%和75%),或是節(jié)省空間的PowerPAK® 1212-8封裝之間進行選擇。  直到最近,只有30V電壓的P通道功率MOSFET才具有這樣低的導通電阻范圍,因此Si7615DN的出現(xiàn)使設(shè)計工程師不再依賴于現(xiàn)有的高壓MOSFET。在競爭的30V器件中,采用PowerPAK® 1212-8封裝的器件在10V和4.5V柵極驅(qū)動電壓下的導通電阻分別為14.4mΩ和27mΩ?! i7615DN可用做電源適配器開關(guān),或用于筆記本電腦、上網(wǎng)本、工業(yè)/通用系統(tǒng)中的負載切換應用。適配器開關(guān)(在適配器、墻上電源或電池電源之間切換)是始終導通的,并吸取電流。Si7615DN更低的導通電阻使其功耗更低,可節(jié)省電能并延長電池壽命?! ⌒驴頣renchFET® 功率MOSFET Si7615DN經(jīng)過了100%的Rg測試,符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定?,F(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為10周至12周。VISHAY SILICONIX簡介  Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計算機磁盤驅(qū)動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應商。Vishay Siliconix的硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑,包括在業(yè)內(nèi)建成第一個基于槽硅工藝(TrenchFET®)的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)?! ?chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù),例如被設(shè)計用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術(shù),以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®) 和更小空間(ChipFET®,MICRO FOOT®)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外,Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎(chǔ)設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換元件,而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開關(guān)集成電路?! iliconix創(chuàng)建于1962年,在1998年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。VISHAY簡介  Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富 1,000 強企業(yè)”,是全球分立半導體(二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC)和無源電子元件(電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器)的最大制造商之一,這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及提供“一站式”服務(wù)的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細信息,敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。TrenchFET®和PowerPAK® 是 Siliconix Incorporated 的注冊商標新聞聯(lián)系人:VISHAY王真(Jenny Wang)地址:上海市淮海西路 55 號 申通信息廣場 15 樓 D 座電話:(8621)52585000-6052傳真:(8621)52587979Email:Jenny.wang@vishay.com煜治時代信息咨詢(北京)有限公司喬治(George Qiao)地址:北京市朝陽區(qū)朝外大街甲6號萬通中心A座4層052室,郵編:100020電話:(8610)59071501/2傳真:(8610)59073151Email:George.qiao@geomatrixpr.com