該器件將第三代P溝道TrenchFET®技術(shù)延伸至超小封裝，在2mmx2mm的占位面積內(nèi)用兩個20V P溝道功率MOSFET將導通電阻最多可減少44%
　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2009 年 4 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有兩個20V P溝道的第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiA921EDJ，其導通電阻是目前所有雙P溝道器件當中最小的，所采用的熱增強PowerPAK® SC-70封裝的占位面積只有2mmx2mm。　　SiA921EDJ在4.5V和2.5V條件下分別具有59 mΩ和98 mΩ的超低導通電阻。第三代TrenchFET® MOSFET的低導通電阻意味著更低的傳導損耗，使器件在開關(guān)時比市場上任何雙P溝道功率MOSFET所消耗的能量都要少?！　《渌罱咏腜溝道器件在4.5V柵極驅(qū)動電壓、大于12V的柵源額定電壓下的導通電阻為95mΩ，在2.5V驅(qū)動電壓下的導通電阻為141mΩ，分別比SiA921EDJ高38%和44%。PowerPAK® SC-70封裝的占位面積為2mmx2mm，只有TSOP-6封裝尺寸的一半，而導通電阻則不相上下?！　⊥ㄟ^推出SiA921EDJ，Vishay將第三代P溝道TrenchFET®技術(shù)應(yīng)用到適用于手持式電子產(chǎn)品的超小封裝中。新器件可用于DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器，以及手機、智能手機、PDA和MP3播放器等便攜式設(shè)備中的負載、功放和電池開關(guān)。SiA921EDJ更低的導通電阻意味著更少的功耗，節(jié)約電能并延長這些設(shè)備在兩次充電期間的電池壽命?！　iA921EDJ TrenchFET®功率MOSFET 符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。該器件現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為10至12周。