【ZiDongHua 之方案應用場收錄關鍵詞：納芯微 激光雷達 自動駕駛 新能源汽車  MOSFET 】
　　
　　GaN HEMT驅(qū)動芯片NSD2017助力應對激光雷達應用挑戰(zhàn)
 
　　
　　自動駕駛是新能源汽車智能化的重要發(fā)展方向，而具備強感知能力的激光雷達則是L2+及以上級別自動駕駛不可或缺的硬件設備。納芯微的單通道高速柵極驅(qū)動芯片NSD2017，專為激光雷達發(fā)射器中驅(qū)動GaN HEMT（高電子遷移率晶體管）而設計，助力應對激光雷達應用中的各項挑戰(zhàn)。
 
　　01
　　
　　激光雷達系統(tǒng)結構介紹
 
　　自動駕駛中使用的激光雷達通常采用DToF（Direct Time-of-Flight）測距方式，即通過直接測量激光的飛行時間來進行距離測量和地圖成像。下圖為DToF激光雷達系統(tǒng)的典型結構，其中信號處理單元通過記錄激光發(fā)射器發(fā)出光脈沖的時刻，以及激光接收器收到光脈沖的時刻，根據(jù)時間間隔和光速即可計算出目標距離。
　　
　　
　　
　　DToF激光雷達典型系統(tǒng)
　　
　　激光雷達為了實現(xiàn)高分辨率與寬檢測范圍，需要極窄的激光脈沖寬度、極快的激光脈沖頻率和極高的激光脈沖功率，這對激光發(fā)射器中功率開關器件的性能提出了更高的要求。相比傳統(tǒng)的Si MOSFET，GaN HEMT具有更優(yōu)越的開關特性，非常適合DToF激光雷達應用。GaN HEMT的性能表現(xiàn)依賴于高速、高驅(qū)動能力和高可靠性的GaN柵極驅(qū)動芯片，NSD2017憑借其優(yōu)異的產(chǎn)品特性，充分發(fā)揮了GaN HEMT在激光雷達中的優(yōu)勢。
　　
　　02
　　
　　NSD2017產(chǎn)品特性
　　
　　推薦工作電壓：4.75V~5.25V
　　
　　峰值拉灌電流：7A/5A
　　
　　最小輸入脈寬: 1.25ns
　　
　　傳輸延時: 2.6ns
　　
　　脈寬畸變: 300ps
　　
　　上升時間@220pF負載: 650ps
　　
　　下降時間@220pF負載: 850ps
　　
　　封裝：DFN6(2mm*2mm)，WLCSP(1.2mm*0.8mm)
　　
　　滿足AEC-Q100車規(guī)認證
　　
　　同相和反相輸入引腳可用于產(chǎn)生極窄脈寬
　　
　　具備UVLO、OTSD保護
　　
　　
　　NSD2017典型應用框圖
　　
　　03
　　
　　NSD2017關鍵性能應對激光雷達應用挑戰(zhàn)
 
　　
　　1）大電流驅(qū)動能力，支持激光雷達遠距離探測
　　
　　激光雷達的遠距離探測能力使自動駕駛車輛能夠提前發(fā)現(xiàn)障礙物并及時避讓，從而提升自動駕駛速度上限。為實現(xiàn)更遠的探測距離，通常需要在保證不損傷人眼的前提下，采用更大功率的激光發(fā)射器，這就需要更大電流的GaN HEMT以及驅(qū)動能力更高的驅(qū)動芯片。納芯微的NSD2017具備7A峰值拉電流和5A灌電流能力，可用于驅(qū)動大電流GaN HEMT，從而產(chǎn)生高峰值激光功率，實現(xiàn)遠距離探測。
　　
　　2）極窄輸入脈寬，滿足激光雷達高測距精度要求
　　
　　DToF激光雷達通過測量脈沖激光發(fā)射和接收的時間間隔來實現(xiàn)測距，但是如果來自兩個相鄰目標的反射光脈沖發(fā)生重疊，系統(tǒng)將無法分辨出這兩個相鄰目標的距離信息。為了滿足厘米級別的距離分辨率的要求，激光雷達需要極窄的光脈沖寬度，通常低至幾納秒，并且具有快速的上升沿和下降沿。NSD2017的最小輸入脈寬典型值僅為1.25ns，且開啟和關斷路徑具有優(yōu)異的延遲匹配，輸入到輸出的脈沖寬度失真低至300ps。此外在220nF負載下，NSD2017的上升時間典型值為650ps，下降時間典型值為850ps，也有利于產(chǎn)生更窄的脈沖激光。
 
　　NSD2017最小輸入脈寬測試：Ch1為輸入波形，Ch2為輸出波形
　　
　　3）小封裝和高頻開關，優(yōu)化激光雷達分辨率與點頻性能
　　
　　激光雷達的角分辨率表示掃描過程中相鄰兩個激光點之間的角度差，點頻則表示在三維視場內(nèi)每秒發(fā)出的激光點數(shù)。一般來說，激光雷達的角分辨率越小，相鄰點云之間越密集，往往點頻越高，激光雷達的感知能力也就越強。為實現(xiàn)更高的角分辨率和點頻，激光雷達需要布置更多的激光發(fā)射器，因而對驅(qū)動芯片的封裝尺寸提出了更高的要求。NSD2017車規(guī)級芯片不但提供DFN (2mm*2mm) 封裝，還可以提供更小尺寸的WLCSP (1.2mm*0.8mm) 封裝。NSD2017支持最高60MHz開關頻率，傳輸延時典型值低至2.6ns，確保了系統(tǒng)控制環(huán)路具有足夠快的響應時間，也有利于提高激光雷達點頻性能。
 
　　NSD2017傳輸延時測試：Ch1為輸入波形，Ch2為輸出波形
　　
　　4）強抗干擾能力，保證激光雷達的安全可靠
　　
　　在激光發(fā)射器中，為了快速開關GaN HEMT，柵極驅(qū)動芯片外部的柵極串聯(lián)電阻通常設置為零；柵極驅(qū)動芯片的峰值拉電流和灌電流，會通過芯片的封裝寄生電感和PCB寄生電感，引起芯片內(nèi)部的VDD和GND產(chǎn)生較大的抖動，從而可能導致驅(qū)動電路工作異常。NSD2017通過優(yōu)化封裝寄生電感，并且在芯片內(nèi)部集成去耦電容，有效地濾除驅(qū)動電路抽載產(chǎn)生的高壓毛刺，從而提升了抗噪聲能力。此外，NSD2017具備過溫保護和欠壓保護功能，保證激光雷達安全可靠地工作。
　　
　　04
　　
　　總結
 
　　
　　GaN HEMT柵極驅(qū)動芯片NSD2017具備高開關頻率、低傳輸延時、極窄脈寬、低失真、強驅(qū)動能力和抗干擾等特性，采用小尺寸車規(guī)級封裝，能夠助力應對激光雷達各項應用挑戰(zhàn)，提升感知能力，確保其安全可靠運行。