Vishay推出PowerPAK® 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET，優(yōu)異的RDS(ON) 導通電阻低至0.65 m歐
 
小型器件采用無引線鍵合鷗翼引線結構，提高板級可靠性
 
 
賓夕法尼亞、MALVERN — 2022年2月7日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應用功率密度、能效和板級可靠性。為實現(xiàn)設計目標，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低導通電阻，工作溫度可達+175 C以及高連續(xù)漏極電流。節(jié)省空間的PowerPAK® 8x8L封裝采用無引線鍵合鷗翼引線結構消除機械應力，有助于提高板級可靠性。
 
SiJH600E和SiJH800E超低導通電阻—10 V下典型值分別為0.65 m和1.22 m—比同代PowerPAK SO-8封裝器件分別降低54 %和52 %，從而減小了傳導功耗，實現(xiàn)節(jié)能的效果。
 
為提高功率密度，SiJH600E和SiJH800E連續(xù)漏極電流分別為373 A和288 A，封裝占位面積比D2PAK封裝減小60 %，高度降低57 %。為節(jié)省電路板空間，每款MOSFET還可以用來取代兩個并聯(lián)的PowerPAK SO-8器件。
 
器件規(guī)格表：
產(chǎn)品型號 VDS (V) ID (A) RDS(ON) @ 10 V (m) Rthjc (°C/W)
SiJH600E 60 373 0.65 0.36
SiJH800E 80 299 1.22 0.36
 
該Vishay Siliconix器件工作溫度可達+175 C，性能穩(wěn)定可靠，適用于電源、電機驅動控制、電池管理和電動工具等應用同步整流。器件采用無鉛 (Pb) 封裝、無鹵素、符合RoHS標準，經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。
 
封裝對比表:
封裝 長 (mm) 寬 (mm) 高 (mm) 尺寸 (長x寬mm2)
PowerPAK 8x8L 8.0 7.9 1.8 63.2
D2PAK (TO-263) 15.2 10 4.4 152
 
SiJH600E和SiJH800E現(xiàn)可提供樣品。產(chǎn)品供貨周期和數(shù)量的相關信息，請與Vishay或我們的經(jīng)銷商聯(lián)系。
 
 
 
動感VISHAY：VISHAY簡介
 
Vishay 是全球最大的分立半導體和無源電子元件系列產(chǎn)品制造商之一，這些產(chǎn)品對于汽車、工業(yè)、計算、消費、通信、國防、航空航天和醫(yī)療市場的創(chuàng)新設計至關重要。服務于全球客戶，Vishay承載著科技基因——The DNA of tech.。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業(yè)”。
 
The DNA of tech.是Vishay Intertechnology的商標。TrenchFET和PowerPAK是Siliconix公司的注冊商標。