IGBT器件近些年出現(xiàn)了一種碳化硅新工藝
【IGBT器件近些年出現(xiàn)了一種碳化硅新工藝】碳化硅的絕緣破壞電場(chǎng)強(qiáng)度是傳統(tǒng)硅器件的9倍多，因此使用碳化硅工藝生產(chǎn)的功率器件導(dǎo)通電阻更低，芯片尺寸更小。此外相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工作頻率更高，也能夠耐受更高的環(huán)境溫度。
背景信息：@羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)#羅姆報(bào)道#相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工作頻率更高，也能夠耐受更高的環(huán)境溫度。因此在高壓功率市場(chǎng)，碳化硅器件簡(jiǎn)直是IGBT的完美替代者，但是為何到目前為止，IGBT仍然占據(jù)主流應(yīng)用呢？請(qǐng)看《與非網(wǎng)》報(bào)道《IGBT的最大威脅碳化硅，何日從威脅變殺手》：
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