中國北京，2024年10月11日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，在其現(xiàn)有為光學(xué)傳感器而特別優(yōu)化的180nm CMOS半導(dǎo)體工藝平臺——XS018上，現(xiàn)推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產(chǎn)品選擇，強化了X-FAB廣泛的產(chǎn)品組合。

2×2光電二極管排列布局示例圖

此次推出的四款新產(chǎn)品中，兩款為響應(yīng)增強型光電二極管doafe和dobfpe，其靈敏度在紫外、可見光和紅外波長（全光譜）上均有所提升；另外還有兩款先進的紫外線專用光電二極管dosuv和dosuvr。doafe是一個全光譜傳感器，具有約730nm的峰值靈敏度。在730nm波長下，該器件的光譜響應(yīng)度為0.48A/W。與上一代相比，新產(chǎn)品的靈敏度提升約15％，且響應(yīng)更加平穩(wěn)，提高50％以上。應(yīng)用方面，包括煙霧探測、位置感測和光譜測定在內(nèi)的多種應(yīng)用都可以受益于該光電二極管性能的大幅提升。

與doafe不同的是，一并推出的dobfpe在光譜的紅光和近紅外（NIR）部分表現(xiàn)尤為出色（峰值靈敏度約為770nm）。該系列的二極管對紫外光和藍光不敏感，具有獨特的光譜響應(yīng)功能，在紅外（IR）區(qū)有一個明顯的峰值，使其成為接近感測應(yīng)用的理想選擇。新推出的dobfpe更增強了紅外（IR）范圍的靈敏度，與X-FAB之前的dob器件相比提高約25％。特別是當傳感器越來越多地被置于玻璃面板下方的趨勢下，該器件在接近感測方面能實現(xiàn)更強的性能和更高的靈敏度。

為拓展光電二極管產(chǎn)品的多樣性，X-FAB還發(fā)布了一款新型先進紫外光電二極管dosuv，其在UVC波段（200nm至280nm）表現(xiàn)出更高的靈敏度。在260nm波長下，dosuv的性能幾乎是以前任何產(chǎn)品的兩倍。在235nm波長，其光譜響應(yīng)度可達0.16A/W。此外，還有一款名為dosuvr的參考設(shè)計器件同時發(fā)布，適配于基于dosuv的傳感器開發(fā)工作。

這幾款新發(fā)布的光電二極管器件均能提供與上一代產(chǎn)品類似的填充因子和光電流數(shù)值，同時所需的芯片面積可減少約20％，因而它們更易于集成；其較小的暗電流值意味著可獲得良好的信號完整性特征。同時，產(chǎn)品支持－40℃至175℃的工作溫度范圍。

X-FAB光電子技術(shù)市場經(jīng)理Heming Wei介紹說：“這些最新的光電二極管具有出色的性能，為客戶帶來的性能提升相當于升級至更小工藝節(jié)點所能達到的預(yù)期效果。這凸顯了我們XS018工藝平臺在打造光電傳感器件方面的卓越性，從而讓器件性能以及可靠性方面都超越了競爭對手。”

目前，每款新型光電二極管的仿真模型均已推出。客戶可以利用這些模型來評估其預(yù)期的電氣與光學(xué)行為。

縮略語：

CMOS 互補金屬氧化物半導(dǎo)體

IR 紅外線

NIR 近紅外線

UV 紫外線

Ref: XFA015D4

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關(guān)于X-FAB：

X-FAB是領(lǐng)先的模擬/混合信號和MEMS晶圓代工集團，生產(chǎn)用于汽車、工業(yè)、消費、醫(yī)療和其它應(yīng)用的硅晶圓。X-FAB采用尺寸范圍從1.0µm至110nm的模塊化CMOS和SOI工藝，及其特色SiC與微機電系統(tǒng)（MEMS）長壽命工藝，為全球客戶打造最高的質(zhì)量標準、卓越的制造工藝和創(chuàng)新的解決方案。X-FAB的模擬數(shù)字集成電路（混合信號IC）、傳感器MEMS在德國、法國、馬來西亞和美國的六家生產(chǎn)基地生產(chǎn)，并在全球擁有約4,500名員工。