三星最新的QLC V-NAND綜合采用了多項突破性技術，其中通道孔蝕刻技術能基于雙堆棧架構實現最高單元層數
 
推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND，為各種AI應用提供優(yōu)質內存解決方案

三星電子今日宣布，三星首款1太比特（Tb）四層單元（QLC）第九代V-NAND（V-NAND）已正式開始量產。

今年四月，三星啟動了其首批三層單元（TLC）第九代V-NAND的量產，隨后又率先實現了QLC 第九代V-NAND的量產，這進一步鞏固了三星在高容量、高性能NAND閃存市場中的地位。

“在距上次TLC版本量產僅四個月后，QLC第九代V-NAND產品成功啟動量產，使我們能夠提供，能夠滿足人工智能時代需求的完整陣容的SSD解決方案。”三星電子執(zhí)行副總裁兼閃存產品與技術負責人SungHoi Hur表示：“隨著企業(yè)級SSD市場呈現日益增長的趨勢，對人工智能應用的需求更加強勁，我們將通過QLC和TLC第九代V-NAND繼續(xù)鞏固三星在該領域的市場地位。”

三星計劃擴大QLC第九代V- NAND的應用范圍，從品牌消費類產品開始，擴展到移動通用閃存（UFS）、個人電腦和服務器SSD，為包括云服務提供商在內的客戶提供服務。

三星QLC第九代V-NAND綜合運用多項創(chuàng)新成果，實現了多項技術突破。

• 三星引以為傲的通道孔蝕刻技術(Channel Hole Etching)，能夠基于雙堆棧架構實現當前業(yè)內最高的單元層數。三星運用在TCL第九代V-NAND中積累的技術經驗，優(yōu)化了存儲單元面積及外圍電路，位密度比上一代QLC V-NAND提升約86%。
• 預設模具(Designed Mold)技術能夠調整控制存儲單元的字線（WL）間距，確保同一單元層內和單元層之間的存儲單元的特性保持一致，達到最佳效果。V-NAND層數越多，存儲單元特性越重要。采用預設模具技術使得數據保存性能相比之前的版本提升約20%，增強了產品的可靠性。
• 預測程序(Predictive Program)技術能夠預測并控制存儲單元的狀態(tài)變化，盡可能減少不必要的操作。這項技術進步讓三星QLC第九代V-NAND的寫入性能翻倍，數據輸入/輸出速度提升60%。
• 低功耗設計(Low-Power Design)技術使得數據讀取功耗約分別下降了約30%和50%。這項技術降低了驅動NAND存儲單元所需的電壓，能夠僅感測必要的位線（BL），從而盡可能減少功耗。