【ZiDongHua 之新品發(fā)布臺文收錄關鍵詞：傳感器 MEMS 微機電系統 集成電路】

X-FAB引入圖像傳感器背照技術增強CMOS傳感器性能

為醫(yī)療、汽車和工業(yè)客戶提供集更高靈敏度、更大像素尺寸和感光面積于一體的傳感器工藝平臺

中國北京，2024年4月9日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，其光學傳感器產品平臺再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺XS018（180納米）上開放了背照（BSI）功能。

BSI工藝截面示意圖

通過BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強。這一技術使得每個像素點接收到的入射光不會再被后端工藝的金屬層所遮擋，從而大幅提升傳感器的填充比，最高可達100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度，因而在暗光條件下，這種優(yōu)勢尤為顯著。同時，由于光路縮短，BSI工藝還能有效減少相鄰像素間的串擾，進而提升圖像的成像質量。盡管目前BSI技術已經相當普遍地應用于300毫米晶圓，并廣泛用在消費級的小像素圖像傳感器上，但針對200毫米晶圓市場，主要應用在工業(yè)醫(yī)療汽車等領域；或者對于需要通過拼接式大像素圖像傳感器，尤其是在需要額外定制化的場景中，市場上BSI工藝的選擇卻十分有限。因此，X-FAB在原有廣受好評的CMOS傳感器工藝平臺XS018中新加入了BSI功能，為不同細分市場帶來全新可能性，無論是X射線診斷設備、工業(yè)自動化系統、天文研究，還是機器人導航、車載前置攝像頭等，客戶都能夠輕松地應對最嚴苛的應用需求。

XS018 CMOS傳感器平臺具有讀出速度快、暗電流低等特點，客戶還能夠在該平臺選擇多種不同的外延層厚度從而實現針對不同應用場景的圖像傳感器。除此之外，通過BSI工藝，客戶還可選擇添加ARC層，并可以根據不同的特殊應用要求進行調整。隨附的X-FAB設計支持包覆蓋了從初始設計到工程樣品裝運的完整工作流程，其中還包括完善的PDK。

“BSI技術能夠將感光元件置于更接近光源的位置，并避免不必要的電路阻礙來提高圖像成像能力，因此在現代成像器件中得到日益廣泛的應用。事實證明，這在暗光環(huán)境中非常有用。”X-FAB光學傳感器技術營銷經理Heming Wei表示，“盡管此類應用之前主要集中在消費電子領域，但目前工業(yè)、汽車和醫(yī)療市場也涌現出大量需求。借助X-FAB的BSI工藝，可以集合更高感光度、更大傳感器尺寸以及像素容量等優(yōu)勢，推出市場信服的產品，更大程度滿足工業(yè)，汽車，醫(yī)療不同的應用需求。”

縮略語：

ARC 抗反射涂層

BSI 背照技術

CMOS 互補金屬氧化物半導體

PDK 工藝設計套件

###

關于X-FAB：

X-FAB是領先的模擬/混合信號和MEMS晶圓代工集團，生產用于汽車、工業(yè)、消費、醫(yī)療和其它應用的硅晶圓。X-FAB采用尺寸范圍從1.0µm至110nm的模塊化CMOS和SOI工藝，及其特色SiC與微機電系統（MEMS）長壽命工藝，為全球客戶打造最高的質量標準、卓越的制造工藝和創(chuàng)新的解決方案。X-FAB的模擬數字集成電路（混合信號IC）、傳感器MEMS在德國、法國、馬來西亞和美國的六家生產基地生產，并在全球擁有約4,200名員工。