全球客制化存儲(chǔ)芯片解決方案設(shè)計(jì)公司愛(ài)普科技今日宣布，新一代硅電容(S-SiCap™, Stack Silicon Capacitor) Gen3已通過(guò)客戶驗(yàn)證，此產(chǎn)品具備超高電容密度及超薄(<100um薄度)等優(yōu)勢(shì)，可在先進(jìn)封裝制程中與系統(tǒng)單芯片(SoC)進(jìn)行彈性客制化整合，滿足客戶在高端手機(jī)及高性能計(jì)算(HPC)芯片的應(yīng)用需求。

愛(ài)普科技的S-SiCap™使用先進(jìn)的堆棧式電容技術(shù)(Stack Capacitor)開(kāi)發(fā)，相比傳統(tǒng)深溝式電容技術(shù)(Deep Trench Capacitor)的電容密度更高、體積更小更薄，且具有極佳的溫度與電壓穩(wěn)定性。S-SiCap™ Gen3的電容值密度可達(dá)2.5uF/mm2，操作電壓最高可支持1.2V，同時(shí)具有相當(dāng)?shù)偷牡刃Т?lián)電感(Equivalent Series Inductance)及等效串聯(lián)電阻(Equivalent Series Resistance)，在高頻操作下能提供優(yōu)異的穩(wěn)壓能力。

S-SiCap™具有超薄、客制化尺寸的特色，在先進(jìn)封裝制程中，能滿足多樣整合應(yīng)用并且與SoC更接近。例如：接腳側(cè)硅電容(S-SiCap™ on the landside)、封裝基板內(nèi)埋硅電容(S-SiCap™ embedded in package substrate)、2.5D封裝應(yīng)用硅電容(S-SiCap™ for 2.5D packaging)、硅電容中介層(S-SiCap™ in an interposer)等。

愛(ài)普科技總經(jīng)理洪志勛表示，在高端手機(jī)及HPC芯片的應(yīng)用趨勢(shì)中，SoC需提供更高的效能，但同時(shí)可能會(huì)伴隨功耗增加、電壓不穩(wěn)的情況，客戶為了穩(wěn)定電壓，對(duì)電容規(guī)格的要求也會(huì)提高，優(yōu)化產(chǎn)品整體表現(xiàn)。愛(ài)普新一代S-SiCap™ Gen3超越傳統(tǒng)電容，電容密度更高、更薄、應(yīng)用更多元，可搭配先進(jìn)封裝制程大幅提升SoC效能，在目前市場(chǎng)上極具優(yōu)勢(shì)。

 

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愛(ài)普科技股份有限公司(TWSE:6531)是無(wú)晶圓廠客制化存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)和IP解決方案的半導(dǎo)體公司。產(chǎn)品包括：IoT存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品(IoTRAM™)、AI存儲(chǔ)芯片解決方案(VHM™)、硅電容(S-SiCap™)。愛(ài)普科技擁有強(qiáng)大的研發(fā)能力，長(zhǎng)期致力為移動(dòng)通信、穿戴設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)、高端手機(jī)應(yīng)用、高性能計(jì)算、邊緣計(jì)算等領(lǐng)域，提供高效能、低功耗的創(chuàng)新客制化芯片及解決方案，協(xié)助全球制造商打造更具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。

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