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Qorvo® 推出緊湊型 E1B 封裝的 1200V SiC 模塊

中國 北京，2024 年 2 月 29 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo®（納斯達(dá)克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導(dǎo)通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動(dòng)汽車充電站、儲(chǔ)能、工業(yè)電源和太陽能等應(yīng)用。

Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場(chǎng)總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個(gè)分立式 SiC FET，從而簡(jiǎn)化熱機(jī)械設(shè)計(jì)和裝配。我們的共源共柵技術(shù)還支持以更高的開關(guān)頻率運(yùn)行，通過使用更小的外部元件進(jìn)一步縮小解決方案的尺寸。這些模塊的高效率特性可以簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)流程，讓我們的客戶能夠?qū)Ｗ⒆龊脝我荒K的設(shè)計(jì)、布局、組裝、特性分析和認(rèn)證，無需應(yīng)對(duì)多個(gè)分立式元件。”

以 9.4mΩ 導(dǎo)通電阻的 UHB100SC12E1BC3N 為代表的這四款 SiC 模塊均采用 Qorvo 獨(dú)特的共源共柵配置，最大限度地降低了導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，從而能夠極大地提升效率，這一優(yōu)勢(shì)在軟開關(guān)應(yīng)用中尤為顯著。另外，銀燒結(jié)芯片貼裝將熱阻降至 0.23°C/W；與帶“SC”的產(chǎn)品型號(hào)中的疊層芯片結(jié)構(gòu)相結(jié)合，其功率循環(huán)性能比市場(chǎng)同類 SiC 電源模塊高出 2 倍。得益于以上特性，這些高度集成的 SiC 電源模塊不僅易于使用，而且具有卓越的熱性能、高功率密度和高可靠性。

下表概述了 Qorvo 全新的 1200V SiC 模塊系列：

產(chǎn)品型號(hào)

描述

RDS(on)@25C（m?）

UFB15C12E1BC3N

1200V，15A SiC 全橋模塊

70

UFB25SC12E1BC3N

1200V，25A SiC 全橋模塊

35

UHB50SC12E1BC3N

1200V，50A SiC 半橋模塊

19

UHB100SC12E1BC3N

1200V，100A SiC 半橋模塊

9.4
 

Qorvo 功能強(qiáng)大的設(shè)計(jì)工具套件（例如 FET-Jet Calculator 和 QSPICE™ 軟件）有助于產(chǎn)品選擇和性能仿真。

Qorvo SiC 模塊系列已在美國加利福尼亞州長灘會(huì)議中心舉行的國際電力電子應(yīng)用展覽會(huì)（APEC）上進(jìn)行了首次亮相。