Vishay推出采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊,降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗
【ZiDongHua 之新品發(fā)布臺(tái)文收錄關(guān)鍵詞:Vishay IGBT 逆變器 半導(dǎo)體 電子元件】
Vishay推出采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊,降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗
半橋器件采用Trench IGBT技術(shù),可選低VCE(ON)或低Eoff,適用于大電流逆變級(jí)
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年2月29日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出五款采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術(shù)制造,為設(shè)計(jì)人員提供兩種業(yè)內(nèi)先進(jìn)的技術(shù)選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運(yùn)輸、能源及工業(yè)應(yīng)用大電流逆變級(jí)導(dǎo)通或開關(guān)損耗。
日前發(fā)布的半橋器件使用節(jié)能效果優(yōu)于市場上其他器件的Trench IGBT,與具有超軟反向恢復(fù)特性的第四代FRED Pt®反并聯(lián)二極管封裝在一起。模塊小型INT-A-PAK封裝采用新型柵極引腳布局,與34 mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝100%兼容,可采用機(jī)械插接方式更換。
這款工業(yè)級(jí)器件可用于各種應(yīng)用的電源逆變器,包括鐵路設(shè)備;發(fā)電、配電和儲(chǔ)電系統(tǒng);焊接設(shè)備;電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和機(jī)器人。為降低TIG焊機(jī)輸出級(jí)導(dǎo)通損耗,VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C,額定電流下,集電極至發(fā)射極電壓僅為 ≤ 1.07 V,達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N適用于高頻電源應(yīng)用,開關(guān)損耗極低,+125 °C,額定電流下,Eoff僅為1.0 mJ。
模塊符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),集電極至發(fā)射極電壓為650 V,集電極連續(xù)電流為100 A至200 A,結(jié)到外殼的熱阻極低。器件通過UL E78996認(rèn)證,可直接安裝散熱片,EMI小,減少了對(duì)吸收電路的要求。
器件規(guī)格表:
產(chǎn)品編號(hào) |
VCES |
IC |
VCE(ON) |
Eoff |
速度 |
封裝 |
@ IC和 +125 °C |
||||||
VS-GT100TS065S |
650 V |
100 A |
1.02 V |
6.5 mJ |
DC~1 kHz |
INT-A-PAK |
VS-GT150TS065S |
650 V |
150 A |
1.05 V |
10.3 mJ |
DC~1 kHz |
INT-A-PAK |
VS-GT200TS065S |
650 V |
200 A |
1.07 V |
13.7 mJ |
DC~1 kHz |
INT-A-PAK |
VS-GT100TS065N |
650 V |
100 A |
2.12 V |
1.0 mJ |
8 kHz~30 kHz |
INT-A-PAK |
VS-GT200TS065N |
650 V |
200 A |
2.13 V |
3.86 mJ |
8 kHz~30 kHz |
INT-A-PAK |
VISHAY簡介
Vishay 是全球最大的分立半導(dǎo)體和無源電子元件系列產(chǎn)品制造商之一,這些產(chǎn)品對(duì)于汽車、工業(yè)、計(jì)算、消費(fèi)、通信、國防、航空航天和醫(yī)療市場的創(chuàng)新設(shè)計(jì)至關(guān)重要。服務(wù)于全球客戶,Vishay承載著科技基因——The DNA of tech.®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”。
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