【ZiDongHua 之新品發(fā)布臺(tái)收錄關(guān)鍵詞：Vishay MOSFET   】

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET  第四代器件，提高額定功率和功率密度，降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，從而提升能效

 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新型第四代650V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導(dǎo)通電阻比前代器件降低48.2%，同時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數(shù)是650V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)。

Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過(guò)程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種先進(jìn)高科技設(shè)備。隨著SiHP054N65E的推出，以及其他第四代600 V E系列器件的發(fā)布，Vishay可在電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)初期滿足提高能效和功率密度兩方面的要求，包括功率因數(shù)校正(PFC)和后面的DC/DC轉(zhuǎn)換器磚式電源。典型應(yīng)用包括服務(wù)器、邊緣計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲(chǔ);UPS;高強(qiáng)度放電(HID)燈和熒光鎮(zhèn)流器;太陽(yáng)能逆變器;焊接設(shè)備;感應(yīng)加熱;電機(jī)驅(qū)動(dòng);以及電池充電器。

SiHP054N65E采用Vishay先進(jìn)的高能效E系列超級(jí)結(jié)技術(shù)，10V下典型導(dǎo)通電阻僅為0.051 Ω，從而提高額定功率支持2 kW以上的各種應(yīng)用，器件滿足符合開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目Open Rack V3(ORV3)標(biāo)準(zhǔn)的需求。此外，這款MOSFET超低柵極電荷下降到 72nC。器件的FOM為3.67 Ω*nC，比同類接近的競(jìng)品MOSFET 低1.1 %。這些參數(shù)表明導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗降低，從而達(dá)到節(jié)能效果，提高能效。器件滿足服務(wù)器電源鈦效應(yīng)的特殊要求，或通信電源達(dá)到96%的峰值效率。

日前發(fā)布的MOSFET有效輸出電容 Co(er)和Co(tr)典型值分別僅為115 pF和 772 pF，可改善硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開(kāi)關(guān)性能，如PFC、半橋和雙開(kāi)關(guān)順向設(shè)計(jì)。器件的電阻與 Co(tr)乘積FOM低至5.87 W*pF達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。SiHP054N65E采用TO-220AB封裝，提高了dv/dt耐用性，符合RoHS和Vishay綠色標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素，耐受雪崩模式下電壓瞬變，并保證極限值100 %通過(guò)UIS測(cè)試。