東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊,助力工業(yè)設備的高效率和小型化
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東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊,助力工業(yè)設備的高效率和小型化
中國上海,2023年8月29日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏極電流(DC)額定值為250A,適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應用。該產品于今日開始支持批量出貨。
類似上述的工業(yè)應用通常使用DC 1000V或更低功率,其功率器件多為1200V或1700V產品。然而,預計未來幾年內DC 1500V將得到廣泛應用,因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款2200V產品。
MG250YD2YMS3具有低導通損耗和0.7V(典型值)的低漏極-源極導通電壓(傳感器)[2]。此外,它還具有較低的開通和關斷損耗,分別為14mJ(典型值)[3]和11mJ(典型值)[3],與典型的硅(Si)IGBT相比降低了約90%[4]。這些特性均有助于提高設備效率。由于MG250YD2YMS3可實現較低的開關損耗,用戶可采用模塊數量更少的兩電平電路取代傳統(tǒng)的三電平電路,有助于設備的小型化。
東芝將不斷創(chuàng)新,持續(xù)滿足市場對高效率和工業(yè)設備小型化的需求。
Ø 應用:
工業(yè)設備
- 可再生能源發(fā)電系統(tǒng)(光伏發(fā)電系統(tǒng)等)
- 儲能系統(tǒng)
- 工業(yè)設備用電機控制設備
- 高頻DC-DC轉換器等設備
Ø 特性:
- 低漏極-源極導通電壓(傳感器):
VDS(on)sense=0.7V(典型值)(ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃)
- 低開通損耗:
Eon=14mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)
- 低關斷損耗:
Eoff=11mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)
- 低寄生電感:
LsPN=12nH(典型值)
Ø 主要規(guī)格:
(除非另有說明,Ta=25℃)
器件型號 |
MG250YD2YMS3 |
|||
東芝封裝名稱 |
2-153A1A |
|||
絕對 最大 額定值 |
漏源電壓VDSS(V) |
2200 |
||
柵源電壓VGSS(V) |
+25/-10 |
|||
漏極電流(DC)ID(A) |
250 |
|||
漏極電流(脈沖)IDP(A) |
500 |
|||
結溫Tch(℃) |
150 |
|||
絕緣電壓Visol(Vrms) |
4000 |
|||
電氣 特性 |
漏極-源極導通電壓(傳感器): VDS(on)sense(V) |
ID=250A、VGS=+20V、 Tch=25℃ |
典型值 |
0.7 |
源極-漏極導通電壓(傳感器): VSD(on)sense(V) |
IS=250A、VGS=+20V、 Tch=25℃ |
典型值 |
0.7 |
|
源極-漏極關斷電壓(傳感器): VSD(off)sense(V) |
IS=250A、VGS=-6V、 Tch=25℃ |
典型值 |
1.6 |
|
開通損耗 Eon(mJ) |
VDD=1100V、 ID=250A、Tch=150℃ |
典型值 |
14 |
|
關斷損耗 Eoff(mJ) |
典型值 |
11 |
||
寄生電感LsPN(nH) |
典型值 |
12 |
注:
[1] 采樣范圍僅限于雙SiC MOSFET模塊。數據基于東芝截至2023年8月的調研。
[2] 測量條件:ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃
[3] 測量條件:VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃
[4] 截至2023年8月,東芝對2300V Si模塊和新型SiC MOSFET芯片MG250YD2YMS3開關損耗進行比較(2300V Si模塊的性能值是東芝根據2023年3月或之前發(fā)表的論文做出的預估)。
如需了解相關新產品的更多信息,請訪問以下網址:
MG250YD2YMS3
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfet-modules/detail.MG250YD2YMS3.html
如需了解東芝碳化硅功率器件的更多信息,請訪問以下網址:
碳化硅功率器件
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/sic-power-devices.html
*本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。
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