【ZiDongHua 之新品發(fā)布臺收錄關(guān)鍵詞： 東芝 MOSFET 功率器件 自動駕駛 逆變器 半導(dǎo)體繼電器】
 
 
　　東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET，有助于汽車設(shè)備實(shí)現(xiàn)高散熱和小型化
 
 
　　東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL?（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
 
　　
 
　　自動駕駛系統(tǒng)等高安全級別的應(yīng)用可通過冗余設(shè)計(jì)確?？煽啃?，因此與標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)相比，它們集成了更多的器件，需要更多的表貼空間。所以，要進(jìn)一步縮小汽車設(shè)備的尺寸，需要能夠在高電流密度下表貼的功率MOSFET。
 
　　XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用東芝的新型S-TOGL?封裝（7.0mm×8.44mm[1]），其特點(diǎn)是采用無接線柱結(jié)構(gòu)，將源極連接件和外部引腳一體化。源級引腳的多針結(jié)構(gòu)降低了封裝電阻。
 
　　與具有相同熱阻特性的東芝TO-220SM（W）封裝產(chǎn)品[2]相比，S-TOGL?封裝與東芝U-MOS IX-H工藝相結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電阻顯著降低11%。與TO-220SM（W）封裝相比，新型封裝還將所需的表貼面積減少了大約55%。此外，采用新型封裝的產(chǎn)品可提供200A漏極額定電流，高于東芝類似尺寸的DPAK＋封裝（6.5mm×9.5mm[1]）產(chǎn)品，從而實(shí)現(xiàn)了大電流?？傮w而言，S-TOGL?封裝可實(shí)現(xiàn)高密度和緊湊布局，縮小汽車設(shè)備的尺寸，并有助于實(shí)現(xiàn)高散熱。
 
　　由于汽車設(shè)備可能在極端溫度環(huán)境下工作，因此表面貼裝焊點(diǎn)的可靠性是一個關(guān)鍵考慮因素。S-TOGL?封裝采用鷗翼式引腳，可降低表貼應(yīng)力，提高焊點(diǎn)的可靠性。
 
　　當(dāng)需要并聯(lián)多個器件為應(yīng)用提供更大工作電流時，東芝支持這兩款新產(chǎn)品按柵極閾值電壓分組出貨[3]。這樣可以確保設(shè)計(jì)使用同一組別的產(chǎn)品，從而減小特性偏差。
 
　　東芝將繼續(xù)擴(kuò)展其功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線，并通過用戶友好型、高性能功率器件為實(shí)現(xiàn)碳中和做出貢獻(xiàn)。
 
　　應(yīng)用
 
　　● 汽車設(shè)備：逆變器、半導(dǎo)體繼電器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動等
 
　　特性
 
　　● 新型S-TOGL?封裝：7.0mm×8.44mm（典型值）
 
　　● 高額定漏極電流：
 
　　XPJR6604PB：ID＝200A
 
　　XPJ1R004PB：ID＝160A
 
　　● AEC-Q101認(rèn)證
 
　　● 提供IATF 16949/PPAP[4]
 
　　● 低導(dǎo)通電阻：
 
　　XPJR6604PB：RDS(ON)＝0.53m?（典型值）（VGS＝10V）
 
　　XPJ1R004PB：RDS(ON)＝0.8m?（典型值）（VGS＝10V）
 
　　主要規(guī)格
 
　　
 
　　注：
 
　　[1] 典型封裝尺寸，包括引腳。
 
　　[2] TKR74F04PB采用TO-220SM（W）封裝。
 
　　[3] 東芝可以提供分組出貨，每卷產(chǎn)品的柵極閾值電壓浮動范圍為0.4V。但是不允許指定特定組別。請聯(lián)系東芝銷售代表了解更多信息。
 
　　[4] 請聯(lián)系東芝銷售代表了解更多信息。
 
　　*S-TOGL是東芝電子元件及儲存裝置株式會社的商標(biāo)。
 
　　*其他公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。
 
　　*本文檔中的產(chǎn)品價格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。