應用場景:智能手機、平板電腦、充電寶、可穿戴設備、游戲控制器、電動牙刷、數碼單反相機等|東芝推出小型化超薄封裝共漏極MOSFET
東芝推出具有更低導通電阻的小型化超薄封裝共漏極MOSFET,適用于快充設備
中國上海,2023年5月18日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”,該器件可用于移動設備鋰離子(Li-ion)電池組中的電池保護電路。該產品于今日開始支持批量出貨。
鋰離子電池組依靠高度穩(wěn)定的保護電路來減少充放電時產生的熱量,以提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性,同時要求MOSFET小巧纖薄,且具有更低的導通電阻。
SSM14N956L采用東芝專用的微加工工藝,已經發(fā)布的SSM10N954L也采用該技術。憑借業(yè)界領先[1]的低導通電阻特性實現了低功耗,而業(yè)界領先[1]的低柵源漏電流特性又保證了低待機功耗。這些特性有助于延長電池的使用時間。此外,新產品還采用了一種新型的小巧纖薄的封裝TCSPED-302701(2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)。
東芝將繼續(xù)開發(fā)用于鋰離子電池組供電設備中的保護電路的MOSFET產品。
應用
- 家用電器采用鋰離子電池組的消費類電子產品以及辦公和個人設備,包括智能手機、平板電腦、充電寶、可穿戴設備、游戲控制器、電動牙刷、迷你數碼相機、數碼單反相機等。
特性
- 業(yè)界領先的[1]低導通電阻:RSS(ON)=1.1mΩ(典型值)@VGS=3.8V
- 業(yè)界領先的[1]低柵源漏電流:IGSS=±1μA(最大值)@VGS=±8V
- 小型化超薄TCSPED-302701封裝:2.74mm×3.0mm,厚度=0.085mm(典型值)
- 共漏極結構,可方便地用于電池保護電路
主要規(guī)格
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