【ZiDongHua新品發(fā)布臺收錄關(guān)鍵詞：東芝 開關(guān)電源 MOSFE TPH9R00CQ5 】

東芝的新款150V N溝道功率MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的低導通電阻和改進的反向恢復特性，有助于提高電源效率

中國上海，2023年3月30日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

TPH9R00CQ5具有行業(yè)領(lǐng)先的[2]9.0mΩ(最大值)的低漏源導通電阻，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了約42%。與此同時，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢復電荷減少約74%，反向恢復[5]時間縮短約44%，上述指標是體現(xiàn)同步整流應用性能的兩大關(guān)鍵反向恢復指標。新產(chǎn)品面向同步整流應用[6]，降低了開關(guān)電源的功率損耗，有助于提高系統(tǒng)效率。此外，與TPH9R00CQH相比，新產(chǎn)品減少了開關(guān)過程中產(chǎn)生的尖峰電壓，有助于降低電源的EMI。

該產(chǎn)品采用業(yè)界廣泛認可的表面貼裝型SOP Advance(N)封裝。

此外，東芝還提供支持開關(guān)電源電路設(shè)計的相關(guān)工具。除能夠迅速驗證電路功能的G0 SPICE模型外，現(xiàn)在還提供能夠準確地再現(xiàn)電路瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

東芝利用該產(chǎn)品還開發(fā)出了“用于通信設(shè)備的1kW非隔離Buck-BoostDC-DC轉(zhuǎn)換器”與“采用MOSFET的3相多電平逆變器”參考設(shè)計。即日起可訪問東芝官網(wǎng)獲取上述參考設(shè)計。除此以外，新產(chǎn)品還可用于已發(fā)布的“1kW全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器”參考設(shè)計。

東芝將繼續(xù)擴大自身的功率MOSFET產(chǎn)品線，以降低功率損耗、提高電源效率，并助力改善設(shè)備效率。

應用

- 工業(yè)設(shè)備電源，如用于數(shù)據(jù)中心和通信基站的電源

- 開關(guān)電源(高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等)

特性

- 業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導通電阻：RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)(VGS=10V)

- 業(yè)界領(lǐng)先的[2]低反向恢復電荷：Qrr=34nC(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)

- 業(yè)界領(lǐng)先的[2]快速反向恢復時間：trr=40ns(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)

- 高額定結(jié)溫：Tch(最大值)=175℃

主要規(guī)格

(除非另有說明，Ta=25℃)