【TWINHOW ZiDongHua 之新品發(fā)布臺(tái)關(guān)鍵詞摘要：Qorvo  SiC   解決方案  碳化硅   GaN】

Qorvo 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

中國(guó)北京，2023 年3 月21 日—— 全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商Qorvo®(納斯達(dá)克代碼：QRVO)今日宣布，將展示一種全新的無(wú)引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術(shù)，其高性能具體表現(xiàn)在：750V SiC FET擁有全球最低的5.4(mΩ) 的導(dǎo)通阻抗。這也是 Qorvo公司 750V SiC FETs產(chǎn)品 TOLL封裝系列中的首發(fā)產(chǎn)品，其導(dǎo)通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于空間極其有限的應(yīng)用場(chǎng)景，如從幾百瓦到千萬(wàn)瓦的交流 /直流電源以及高達(dá) 100A的固態(tài)繼電器和斷路器。有助于幫助客戶減小體積尺寸，提高功率密度。

在 600/750V這一層次電壓功率 FETs類別中，Qorvo 第四代 (Gen 4) SiC FETs產(chǎn)品的主要性能：比如導(dǎo)通電阻和輸出電容方面領(lǐng)先業(yè)界。此外，在 TOLL封裝中，Qorvo的器件具有最低 5.4 mΩ 的導(dǎo)通電阻，比目前市場(chǎng)同類產(chǎn)品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs和 GaN晶體管的導(dǎo)通阻抗還要低上 4-10倍。SiC FETs的 750V額定電壓也比其它的一些替代技術(shù)高100-150V，為客戶產(chǎn)品應(yīng)用中的開關(guān)管電壓瞬變尖峰提供了更多的設(shè)計(jì)裕量。

Qorvo電源器件事業(yè)部首席工程師 Anup Bhalla表示：“在 TOLL封裝中推出我們的 5.4 mΩGen4 SiC FET旨在為行業(yè)提供最佳性能器件以及多種器件選擇，為此我們已邁出重要的一步，尤其對(duì)于從事工業(yè)應(yīng)用的客戶，他們需要這種靈活性和提升成本效益的電源設(shè)計(jì)組合。”

TOLL封裝與 D2PAK表面貼裝器件相比，尺寸減少了 30%，高度為 2.3mm，相當(dāng)于同類產(chǎn)品的一半。盡管尺寸縮小，但先進(jìn)的制造技術(shù)實(shí)現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的 0.1℃/W熱阻(從結(jié)到殼)。導(dǎo)通直流電流額定值最大為 120A，此時(shí)對(duì)應(yīng)的殼溫為 144℃，在 0.5毫秒時(shí)間內(nèi)，脈沖沖擊電流最大值可以達(dá)到 588A。結(jié)合極低的導(dǎo)通電阻和出色的瞬態(tài)散熱能力，Qorvo的 750V TOLL封裝產(chǎn)品的“I2t”值比同一封裝的 Si MOSFET高出約 8倍，有助于提高客戶產(chǎn)品的魯棒性和抗瞬態(tài)過(guò)載能力，同時(shí)也簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。TOLL封裝還提供了開爾文連接以實(shí)現(xiàn)可靠的高速轉(zhuǎn)換。

這些第四代 SiC FET利用 Qorvo獨(dú)特的 Cascode電路結(jié)構(gòu)(即共源共柵)，將 SiC JFET與 Si MOSFET共同封裝在一個(gè)器件內(nèi)部，以發(fā)揮寬禁帶開關(guān)技術(shù)的高效率優(yōu)勢(shì)和 Si MOSFET簡(jiǎn)化的門級(jí)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)。

現(xiàn)在可使用 Qorvo免費(fèi)在線工具 FET-JET計(jì)算 TOLL封裝的 Gen4 5.4mΩSiC FET，該計(jì)算器可以立即評(píng)估各種交流 /直流和隔離 /非隔離的DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)溥B接的效率、元器件損耗和結(jié)溫上升?？蓪蝹€(gè)和并聯(lián)的器件在用戶指定的散熱條件下進(jìn)行對(duì)比，以獲取最佳解決方案。