VSLY5850具有600mW/sr的極高輻射強度、55mW的光功率和10ns的開關時間,采用獨特的表面發(fā)射器技術和拋物線型透鏡實現(xiàn)±3°半強角　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 2 月11 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布， 推出采用拋物線型透鏡實現(xiàn)±3°極窄半強角的新款850nm紅外發(fā)射器--- VSLY5850，擴充其光電子產(chǎn)品組合?；讵毺氐谋砻姘l(fā)射器芯片技術，VSLY5850在100mA驅(qū)動電流下可提供高達600mW/sr的輻射強度、55mW的光功率和10ns的開關時間。　　VSLY5850所采用的表面發(fā)射器技術代表了一種特殊的硅片結構，在這種結構中，半導體內(nèi)產(chǎn)生的全部光線都會由芯片的頂側表面向外發(fā)射。這種結構大大減少了從器件的5mm T1¾塑料封裝的側面向外發(fā)射的光線，為用戶提供一個窄角度、定向良好的發(fā)射光束，而對側面的影響微乎其微?！　“l(fā)射器的超高輻射強度使其能在低驅(qū)動電流的情況下實現(xiàn)很高的發(fā)光強度，比同級別輻射強度的紅外發(fā)射器的功耗減少3倍，從而在電池供電的紅外應用中延長工作壽命?！　SLY5850針對CMOS攝像頭中的紅外照明、火災報警系統(tǒng)和煙感探測器進行了優(yōu)化。發(fā)射器的快速開關時間還使其成為道路收費系統(tǒng)、交通流量控制和牌照燈中長距離數(shù)據(jù)傳輸?shù)母哒{(diào)制頻率應用的理想之選。器件的高光功率使設計者能夠減少器件數(shù)量，并在這些應用中改善性能，或是用同樣數(shù)量的器件實現(xiàn)更好的性能?！　⌒掳l(fā)射器可在-40℃～+85℃的溫度范圍內(nèi)工作，適合高脈沖電流工作。VSLY5850符合RoHS指令2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC，并符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范。　　新款VSLY5850發(fā)射器現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為八周到十周。