Vishay Siliconix 推出了首款采用 TurboFET™ 技術的第三代功率 MOSFET
器件采用 PowerPAK® 1212-8 封裝類型,導通電阻與柵極電荷乘積 FOM 在 4.5V 和 10 V 時分別低至 76.6 mΩ-nC 和 117.60 mΩ-nC 賓夕法尼亞、MALVERN —2008 年 12 月 4 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件,從而擴展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET™ 技術,利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達 45%,從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。 這次Vishay推出的20V 器件包括SiS426DN 和SiR496DP,其中SiS426DN器件采用尺寸 3mm × 3mm 的 PowerPAK® 1212-8 封裝,可為此額定電壓的設備提供業(yè)界最低的導通電阻與柵極電荷乘積。對于 SiS426DN 而言,直流到直流轉換器中針對 MOSFET 的此關鍵優(yōu)值 (FOM) 在 4.5V 時為 76.6 mΩ-nC,而在 10 V 時為 117.60 mΩ-nC;它在 4.5V 柵極驅動時典型柵極電荷低至 13.2 nC,在 10V 柵極驅動時低至 28 nC。與最接近的同類競爭器件相比,這些規(guī)格意味著在 4.5V 及 10V 時柵極電荷分別降低 45% 與 36%,F(xiàn)OM 降低 50%。更低的柵極電荷意味著在所有頻率時更有效的切換,尤其是可讓設計人員選擇以更高的頻率工作,從而確保在直流到直流轉換器中使用更小的無源元件。 Vishay 的 30V TurboFET 系列包括采用 PowerPAK 1212-8 封裝的新型 Si7718DN 和采用 PowerPAK SO-8 封裝的 Si7784DP。兩款 MOSFET 在 4.5V 和 10V 時典型柵極電荷分別為 13.7 nC 和 30 nC,且在 4.5V 和 10V 時導通電阻與柵極電荷乘積 FOM 分別為 112.34 mΩ-nC 和 180 mΩ-nC。采用 PowerPAK SO-8 封裝的 20V SiS426DN 器件 SiR496DP 也可用于大電流應用。日前推出的所有器件均無鹵素,且 100% 通過 Rg 和 UIS 測試?! ∵@些器件將在同步降壓轉換器中用作高端 MOSFET,通過使用負載點 (POL) 功率轉換有助于節(jié)省筆記本電腦、穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務器及其他系統(tǒng)的功耗?! ∑骷?guī)格表:
目前,采用 TurboFET 技術的第三代功率 MOSFET 可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周?!究蓮囊韵戮W(wǎng)址下載高分辯率圖像 (<500K):http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.phpphoto=438】 VISHAY SILICONIX簡介 Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉換以及控制計算機磁盤驅動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關的供應商。Vishay Siliconix的硅技術和封裝產(chǎn)品的里程碑,包括在業(yè)內建成第一個基于槽硅工藝(TrenchFET®)的功率型MOSFET和業(yè)內第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)?! ?chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術,例如被設計用來在直流電到直流電的轉換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術,以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®) 和更小空間(ChipFET®,MICRO FOOT®)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外,Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉換元件,而且也同樣關注低電壓、約束空間的新型模擬開關集成電路?! iliconix創(chuàng)建于1962年,在1996年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。 VISHAY簡介 Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富 1,000 強企業(yè)”,是全球分立半導體(二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC)和無源電子元件(電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器)的最大制造商之一,這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及提供“一站式”服務的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領先者?! ∮嘘P Vishay 的詳細信息,可以訪問 Internet 網(wǎng)站 http://www.vishay.com?! renchFET®和PowerPAK® 是 Siliconix Incorporated 的注冊商標 新聞聯(lián)系人: VISHAY 王真(Jenny Wang) 上海市淮海西路55號 申通信息廣場15樓D座 (8621)52585000-6052 ?。?621)52587979 Jenny.wang@vishay.com 煜治時代信息咨詢(北京)有限公司 喬治 (George Qiao) 北京市朝陽區(qū)東大橋路8號 SOHO尚都南樓 1703 ?。?610)58696485 ?。?610)59001090 George.qiao@geomatrixpr.com
我要收藏
個贊
評論排行