該器件提供了 89.25nC 的業(yè)界最佳導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積 FOM　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年10月29日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK® SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積?！　iR476DP 在 4.5V 柵極驅(qū)動時最大導(dǎo)通電阻為 2.1mΩ，在 10V 柵極驅(qū)動時最大導(dǎo)通電阻為 1.7mΩ。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中針對 MOSFET 的關(guān)鍵優(yōu)值 (FOM)，在 4.5V 時為 89.25nC。 　　與為實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通損失及低開關(guān)損失而優(yōu)化的最接近的同類競爭器件相比，這些規(guī)格意味著在 4.5V 及 10V 時導(dǎo)通電阻分別低 32% 與 15%，F(xiàn)OM 低 42%。更低的導(dǎo)通電阻及柵極電荷可轉(zhuǎn)變成更低的傳導(dǎo)損失及開關(guān)損失?！　iliconix SiR476DP 將在同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級同步整流及 OR-ing 應(yīng)用中作為低端 MOSFET。其低導(dǎo)通及低開關(guān)損失將使穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務(wù)器及使用負(fù)載點(diǎn) (POL) 功率轉(zhuǎn)換的眾多系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設(shè)計(jì)。 　　Vishay 還推出了新型 25V SiR892DP 及 SiR850DP n 通道 MOSFET。這些器件在 4.5V 時提供了 4.2mΩ 與 9mΩ 的導(dǎo)通電阻，在 10V 時為 3.2mΩ 及 7mΩ，典型柵極電荷為 20nC 及 8.4nC。所有這三款新型功率 MOSFET 均采用 PowerPAK SO-8 封裝類型。這些器件無鉛 (Pb)，無鹵素，并且符合 RoHS，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國際法規(guī)要求?！　∧壳?，SiR476DP、SiR892DP 及 SiR850DP 的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周?！　　究蓮囊韵戮W(wǎng)址下載高分辯率圖像 (<500K)：http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.phpphoto=433】　　VISHAY SILICONIX簡介　　　Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計(jì)算機(jī)、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應(yīng)商。Vishay Siliconix的硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑，包括在業(yè)內(nèi)建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)?！　?chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù)，例如被設(shè)計(jì)用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負(fù)荷切換的應(yīng)用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術(shù)，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK®) 和更小空間(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復(fù)用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應(yīng)用在蜂窩電話、筆記本計(jì)算機(jī)、和固定電信基礎(chǔ)設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換元件，而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開關(guān)集成電路?！　iliconix創(chuàng)建于1962年，在1996年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。　　VISHAY簡介　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及提供“一站式”服務(wù)的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者?！　∮嘘P(guān) Vishay 的詳細(xì)信息，可以訪問 Internet 網(wǎng)站 http://www.vishay.com?！　renchFET 及 PowerPAK 為 Siliconix Incorporated 的注冊商標(biāo)。　　新聞聯(lián)系人：　　VISHAY　　王真（Jenny Wang）　　上海市淮海西路55號 申通信息廣場15樓D座　?。?621）52585000-6052　?。?621）52587979　　Jenny.wang@vishay.com　　煜治時代信息咨詢（北京）有限公司　　喬治 （George Qiao）　　北京市朝陽區(qū)東大橋路8號 SOHO尚都南樓 1703　?。?610）58696485　?。?610）59001090　　George.qiao@geomatrixpr.com