鎮(zhèn)流器上使用IGBT
北京晶川電子公司為西門子/infineon/EUPEC 的IGBT模塊及單管、快恢復(fù)二極管等中國一級代理! Infineon(英飛凌)是原西門子半導(dǎo)體集團(tuán)股票獨(dú)立上市公司。功率半導(dǎo)體一直是西門子半導(dǎo)體的核心產(chǎn)品。西門子在全球率先推出NPT-IGBT,具有高可靠、低成本的最優(yōu)性能價格比。IGBT 芯片產(chǎn)量全球第一,當(dāng)今全球每三片IGBT芯片就有一片是英飛凌生產(chǎn)的。英飛凌不僅生產(chǎn)IGBT芯片,還生產(chǎn)各種封裝形式的IGBT單管、快恢復(fù)二極管等,IGBT模塊、可控硅等歸屬于其100%子公司――EUPEC生產(chǎn)。推薦 4.5A/600V 的IGBT器件,替代 MOSFET 器件用于電子鎮(zhèn)流器,主要優(yōu)點(diǎn)如下:1.不需要做結(jié)構(gòu)或者電路及驅(qū)動方面的改動!2.IGBT需要驅(qū)動提供的電流比MOSFET小40%,需要提供的電壓基本一致(IGBT需要+15V驅(qū)動)降低了驅(qū)動損耗!3.IGBT的電流余量可用到50%,而MOSFET用到30%。所以同等條件下應(yīng)用功率有明顯差距。4.IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管高頻性能比MOSFET寄生的續(xù)流二極管性能明顯的好。5.溫度性能好,雪崩耐量高 6.諧振應(yīng)用頻率范圍 fK:40KHZ~60KHZ7.適用于16W~200W之間的電子鎮(zhèn)流器型號 主要參數(shù) 封裝形式 單價(元) 備注ILD03N60 4.5A/ 600V TO-252 D-PAK SMD封裝 2.2 現(xiàn)貨
自動對焦:鎮(zhèn)流器
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