中國863計劃集成電路制造裝備重大專項“100納米高密度等離子體刻蝕機和大角度離子注入機”28日在北京宣布通過科技部與北京市組織的項目驗收，這標(biāo)志著中國集成電路制造核心裝備的研發(fā)取得了重大突破。 據(jù)了解，目前中國集成電路的幾十條成批量生產(chǎn)線全部靠進(jìn)口。缺乏核心競爭力和自主創(chuàng)新能力，使中國集成電路產(chǎn)業(yè)特別是裝備等核心技術(shù)方面往往受制于人。 科技部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司副司長戴國強介紹說：“集成電路制造的核心裝備主要包括七項設(shè)備，這次研發(fā)通過的兩項核心設(shè)備將有助于扭轉(zhuǎn)我國集成電路制造裝備依賴進(jìn)口的局面?！? 科技部高新技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化司司長馮紀(jì)春評價說，這次100納米高密度等離子體刻蝕機和大角度離子注入機兩種設(shè)備的研制成功，讓中國高端集成電路核心設(shè)備技術(shù)水平跨越了5代。 “雖然目前我國集成電路制造業(yè)核心設(shè)備所能達(dá)到的精度是100納米，與國際上剛實現(xiàn)的65納米精度相比還有距離，但和我們以前的水平相比，已經(jīng)有了很大的進(jìn)步?！贝鲊鴱娬f，使用中國自主研發(fā)的設(shè)備與進(jìn)口國外同類設(shè)備相比還可節(jié)約20%的成本。 中國集成電路制造業(yè)的發(fā)展同時還為集成電路制造裝備創(chuàng)造了可觀的市場空間。據(jù)預(yù)測，到2010年，中國集成電路產(chǎn)業(yè)投資累計將達(dá)到3500億元，其中大部分將用于集成電路制造裝備投資。這一趨勢使中國市場正在成為全球集成電路制造裝備業(yè)爭勝的焦點。 28日，業(yè)主企業(yè)北京北方微電子公司和北京中科信公司與中國最大的集成電路代工廠——中芯國際公司分別簽訂了刻蝕機和離子注入機的批量采購合同，這也是中國國產(chǎn)主流集成電路核心設(shè)備產(chǎn)品實現(xiàn)首次銷售。 不過，戴國強指出，這次集成電路制造裝備的零部件主要還是依靠進(jìn)口，與實現(xiàn)集成電路制造裝備的完全自主研發(fā)還有一定的距離。