【ZiDongHua 之會展賽培壇收錄關鍵詞：兆易創(chuàng)新 電子產(chǎn)業(yè) MCU 穩(wěn)壓器 】
 
 
　　兆易創(chuàng)新入選2023“全球電子成就獎”四大獎項，誠邀您投上寶貴一票！
 
 
　　2023“全球電子成就獎”在線投票活動已火熱開啟，兆易創(chuàng)新入選四大獎項，現(xiàn)誠邀各位朋友為我們投上寶貴一票！
 
　　全球電子成就獎 (World Electronics Achievement Awards) 由ASPENCORE主辦，旨在評選并表彰為推動全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻的企業(yè)和管理者。作為行業(yè)領先的Fabless芯片供應商，兆易創(chuàng)新在此次評選中，同時入選了“年度最佳電子企業(yè)”、“年度微控制器/接口產(chǎn)品”、“年度電源管理/電壓轉換器產(chǎn)品”、“年度存儲器產(chǎn)品”四大獎項。榮譽的獲得，離不開您的支持，誠邀您投出手上關鍵一票，與兆易一起攜手前行！
 
　　入圍獎項
 
　　No.1年度最佳電子企業(yè)
 
　　No.2年度微控制器/接口產(chǎn)品
 
　　No.3年度電源管理/電壓轉換器產(chǎn)品
 
　　No.4年度存儲器產(chǎn)品
 
　　☆投票時間：即刻起至2023年8月31日
 
　　☆溫馨提示：投票提交成功后，可按提示參與抽獎活動，將有機會贏取主辦方送出的驚喜好禮！
 
　　
 
　　投票步驟
 
　　01
 
　　長按識別二維碼或點擊文末“閱讀原文”進入投票界面。
 
　　02
 
　　向下滑動，并分別在企業(yè)類獎項——“年度最佳電子企業(yè)”以及產(chǎn)品類獎項——“年度微控制器/接口產(chǎn)品”、“年度電源管理/電壓轉換器產(chǎn)品”、“年度存儲器產(chǎn)品”中，選擇兆易創(chuàng)新并提交（需輸入必填項）。
 
　　
 
　　入圍產(chǎn)品簡介
 
　　GD32H737/757/759系列超高性能MCU
 
 
　　GD32H7系列MCU采用基于Armv7E-M架構的600MHz Arm? Cortex?-M7內核，憑借雙發(fā)射6級流水線架構，以及支持高帶寬的AXI和AHB總線接口，可以獲得更高的主頻及處理性能，達到1552 DMIPS和2888 CoreMarks的優(yōu)異結果。對比其他內核產(chǎn)品，GD32H7性能大幅提升，能夠支持高級DSP、邊緣AI等高算力應用。
 
　　兆易創(chuàng)新GD30LD3300
 
　　GD30LD3300是一款高性能、低噪聲低壓差線性穩(wěn)壓器，支持6.5V以下的供電電壓轉換。該產(chǎn)品擁有表現(xiàn)優(yōu)異的精度和噪聲性能，輸出電壓精度可達到1%，且具有39dB@500KHz的PSRR和9.8uVRMS@5 V 的低噪聲，優(yōu)異的產(chǎn)品特性廣泛適用于無線通信、網(wǎng)絡通訊和服務器等對供電電源有很高要求的市場應用領域。同時，支持帶載高達3A的輸出電流以及完善的保護功能也使得這款LDO可以媲美同類型國內外高端產(chǎn)品。
 
　　GD25LE128EXH——
 
　　3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝SPI NOR Flash
 
　　GD25LE系列SPI NOR Flash是兆易創(chuàng)新旗艦型低功耗產(chǎn)品，此次新推出的3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 GD25LE128EXH產(chǎn)品延續(xù)了LE系列的優(yōu)異性能，其最高時鐘頻率133MHz，數(shù)據(jù)吞吐量高達532Mbit/s，極大提升了客戶的系統(tǒng)訪問速度和開機效率，同時在4通道133MHz時，讀功耗僅為6mA，與行業(yè)同類產(chǎn)品相比，降低了45%的功耗，有效延長設備的續(xù)航時間。并且，更為重要的是GD25LE128EXH實現(xiàn)了128Mb容量產(chǎn)品上的超小尺寸，此前，業(yè)界128Mb容量產(chǎn)品的主流封裝為6mm×5mm×0.8mm WSON8，而GD25LE128EXH采用的3mm×3mm×0.4mm超小尺寸的新型封裝，面積縮小達70%，厚度減薄50%，能夠顯著節(jié)省85%的空間體積，并節(jié)省材料成本。
 
　　除了尺寸優(yōu)勢顯著提升之外，3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 GD25LE128EXH與64Mb及以下容量的3mm×4mm×0.6mm USON8封裝產(chǎn)品引腳兼容，無需調整PCB布局即可快速升級容量至128Mb，對于不同容量需求的方案，進一步簡化了其兼容性要求的設計。