高峰對話 | 國微芯攜先進(jìn)制程工藝解決方案亮相ICDIA
高峰對話 | 國微芯攜先進(jìn)制程工藝解決方案亮相ICDIA
7月13-14日,國微芯應(yīng)邀參加中國集成電路設(shè)計創(chuàng)新大會暨IC應(yīng)用博覽會(2023無錫)產(chǎn)品展與高峰論壇,為大家展示先進(jìn)制程工藝解決方案。國微芯執(zhí)行總裁兼首席技術(shù)官白耿先生在論壇上發(fā)表題為《半導(dǎo)體工藝超線性發(fā)展對國產(chǎn)EDA的機遇和挑戰(zhàn)》的精彩演講,分析了先進(jìn)制程工藝帶來的挑戰(zhàn),并介紹了國微芯的突破路徑。
根據(jù)ITRS 2.0(國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖)報告,先進(jìn)邏輯制程主要由FinFET、FD-SOI、GAA工藝引導(dǎo),這是三種不同的晶體管工藝。由于通道厚度的縮放限制,F(xiàn)D-SOI工藝在11/10nm節(jié)點處結(jié)束,而FinFET工藝受鰭片寬度的縮放限制,在6/5nm節(jié)點處結(jié)束(實際最小至3nm)。未來5-10年,先進(jìn)芯片制造將追求比3nm更小的節(jié)點,GAA (Gate All Around)工藝被IMEC正式推薦為未來五年的首選工藝,以此突破FinFET的器件性能限制。
多個先進(jìn)制程工藝給芯片制造帶來了諸多難關(guān)。舉例來說,多鰭FinFET需要非常復(fù)雜的圖案化步驟和多個掩膜,GAA的全流程圖案化對EUV OPC的復(fù)雜度和軟硬件性能提出了巨大挑戰(zhàn)。此外,圖形化方法也是一個難以克服的問題。例如,金屬層對光刻的工藝窗口要求極其嚴(yán)格,雙重或多重圖案化(SADP/SAMP)需要多個掩膜,導(dǎo)致復(fù)雜度和成本極高,2Dpatterning也具有困難性……
為了突破先進(jìn)制程工藝和圖形化方法帶來的多重挑戰(zhàn),國微芯開發(fā)了核心后端和制造端EDA工具,為國內(nèi)先進(jìn)制程和IC設(shè)計提供了定制化技術(shù)支持。
國微芯帶你
直擊峰會現(xiàn)場
此次會議交流,國微芯詳細(xì)展示了出色成果——光刻掩模優(yōu)化平臺EsseOPC。該平臺完全自主可控,兼顧國產(chǎn)替代及未來先進(jìn)工藝的應(yīng)用,在前沿的光刻模型、反刻光演和數(shù)據(jù)庫海量高速讀寫及交換技術(shù)等方面有豐厚的技術(shù)積累和Ips。
EsseOPC支持以DUV光刻過程實現(xiàn)的14nm及更先進(jìn)工藝節(jié)點生產(chǎn)的核心技術(shù),并已和多家國內(nèi)Foundry廠達(dá)成合作。此外,計劃于不久后,EsseOPC達(dá)到支持極限分辨率之下的掩膜合成工藝、浸潤式ArF DUV制程、Logic DRAM×NAND工藝、OPC×ILT×RET全流程以及掩膜廠工藝。
白耿先生指出,在IC制造領(lǐng)域,業(yè)界需要充分的技術(shù)儲備以適應(yīng)不斷變化的形勢,并逐步實施不受尖端設(shè)備影響的特殊工藝突破,如背面供電SOI技術(shù)、3D封裝新方案等。在有條件的情況下,最好及時跟進(jìn)實用化的新工藝。
展位現(xiàn)場,國微芯高度完備的EDA工具鏈吸引了觀眾的關(guān)注,紛紛駐足了解。這些EDA工具以傳統(tǒng)哲學(xué)"大道至簡,悟在天成"為靈感,被命名為"芯天成",英文名為”Esse”(本質(zhì))。
芯天成各系列不僅功能強大、性能卓越,而且還擁有用戶友好的界面和操作方式,能夠提高設(shè)計師的工作效率和設(shè)計質(zhì)量,降低學(xué)習(xí)成本。
觀眾們對國微芯的技術(shù)實力和創(chuàng)新能力表示高度認(rèn)可和贊賞,許多參會者與國微芯的技術(shù)人員進(jìn)行了交流和咨詢。本次博覽會上國微芯收獲了廣泛關(guān)注,充分展示了EDA在集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的重要性。
未來,國微芯將繼續(xù)探索并踐行集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律,以強大的研發(fā)力量為基礎(chǔ),以全流程EDA工具鏈為支撐,以“自主創(chuàng)新、讓造芯更便捷”的愿景為不斷前行的動力,助力IC設(shè)計與制造,為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)力量。
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