【ZiDongHua 之品牌自定位收錄關(guān)鍵詞：X-FAB 汽車產(chǎn)業(yè)  BCD CMOS  SOI  EDA】

X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

新一代針對數(shù)字設(shè)計占比高的車規(guī)級工藝

中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應(yīng)用中對更高數(shù)字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。

X-FAB采用首個110納米BCD-on-SOI技術(shù)實現(xiàn)下一代汽車應(yīng)用

通過轉(zhuǎn)移到較低的工藝節(jié)點，X-FAB XT011產(chǎn)品的標準單元庫密度達到其成熟的XT018 180納米BCD-on-SOI半導(dǎo)體平臺的兩倍;對于SONOS嵌入式閃存的實現(xiàn)，相較于XT018，其面積也減少了35%;此外，超低導(dǎo)通電阻(R(ds)on)高壓N溝道器件的性能是另一個重要特性(相比XT018工藝有超過25%的改進)。顯著增強的熱性能意味著可以更好地解決大電流應(yīng)用的難題——這點通常與對Bulk BCD工藝的期望相匹配。

此種全新BCD-on-SOI技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)符合AEC-Q100 Grade 0等級的設(shè)計需求，具有高度穩(wěn)健性。其工作溫度范圍為-40℃至175℃，還表現(xiàn)出較高的抗EMI能力。由于沒有寄生雙極效應(yīng)，發(fā)生閂鎖的風(fēng)險完全消除，從而確保最高程度的操作可靠性。

X-FAB為XT011提供了全面的工藝設(shè)計套件(PDK)以及廣泛的IP元素，如SRAM、ROM和基于SONOS的閃存和嵌入式EEPROM。因此，客戶將擁有實現(xiàn)“首次成功(first-time-right)”設(shè)計所需的所有手段，并將轉(zhuǎn)化為更短的上市時間。

XT011工藝主要針對需要更高級別數(shù)據(jù)處理能力的下一代車載應(yīng)用。此外，它將為現(xiàn)有的工業(yè)和醫(yī)療產(chǎn)品提供通往更小幾何尺寸的路徑。

“X-FAB已經(jīng)作為BCD-on-SOI技術(shù)的首選晶圓廠而廣為人知;此次成為首家過渡至110納米的晶圓廠，進一步突出了我們在這一領(lǐng)域無與倫比的專業(yè)知識。”X-FAB的首席技術(shù)官Joerg Doblaski表示，“通過此新一代車規(guī)級工藝，我們將為客戶構(gòu)建生產(chǎn)更復(fù)雜且高度集成智能模擬產(chǎn)品所需的堅實基礎(chǔ)。”

采用全新XT011 110納米BCD-on-SOI半導(dǎo)體工藝器件將在X-FAB位于巴黎附近的科爾貝-埃索訥(Corbeil-Essonnes)工廠制造。量產(chǎn)將于2023年下半年啟動。

縮略語：

BCD Bipolar-CMOS-DMOS

CMOS 互補金屬氧化物半導(dǎo)體

DTI 深槽隔離

EDA 電子設(shè)計自動化

SOI 絕緣體上硅

SONOS 硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅