Vishay Siliconix繼續(xù)擴大應用在醫(yī)療電子領域中的功率MOSFET的領先優(yōu)勢
賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 10 月 25 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,將為業(yè)內首個用于植入式醫(yī)療應用的功率MOSFET系列增添兩款新器件 --- SMMA511DJ 和 SMMB912DK。這些MOSFET采用強化的工藝流程制造,對制造工藝進行了嚴格控制。 今天發(fā)布的器件是一款采用PowerPAK® SC-70 (SMMA511DJ)封裝的N溝道和P溝道12V MOSFET,及一款采用PowerPAK SC75 (SMMB912DK)封裝的20V雙N溝道MOSFET。通過對每個批次的產品施加強化的質量控制閥:統(tǒng)計箱限制(SBL)、良品率限制(SYL),對晶圓和器件封裝進行部件平均測試(PAT)控制,以及對所有批次的晶圓進行一致可靠性測試,確保新MOSFET獲得區(qū)別于商用器件的高質量和高可靠性。嚴格的SMM醫(yī)療MOSFET工藝流程還包括0.04%的合格質量標準(AQL)。 新MOSFET的應用將包括送藥系統(tǒng)、除顫器、起搏器、助聽器和其他植入式設備中的負載切換。器件的小封裝尺寸(SMMA511DJ為2mmx2mm,SMMB912DK為1.6mmx1.6mm)將有助于節(jié)省小型醫(yī)療設備中的空間,同時其低至0.4Ω的超低導通電阻能夠降低傳導損耗,從而延長電池壽命。關鍵的器件規(guī)格見下表: 型號 SMMA511DJ SMMB912DK 封裝 PowerPAK SC-70 PowerPAK SC-75 類型 N溝道 P溝道 雙N溝道 VDS (V) 12 - 12 20 RDS(ON) @ 4.5 V (Ω) 0.040 0.070 0.215 RDS(ON) @ 2.5 V (Ω) 0.048 0.100 0.268 RDS(ON) @ 1.8 V (Ω) 0.063 0.140 0.375 不斷擴大的Vishay Siliconix SMM醫(yī)療MOSFET系列包括采用各種封裝尺寸的N溝道、P溝道,以及N溝道和P溝道成對配置的器件。 網(wǎng)址http://www.vishay.com/medical-mosfets/提供完整的詳細信息。 SMMA511DJ和SMMB912DK現(xiàn)可提供樣品,將于2010年4季度實現(xiàn)量產,大宗訂貨的供貨周期為十六周。
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