東芝低導(dǎo)通電阻車規(guī)N溝道MOSFET為車載設(shè)備賦能
東芝低導(dǎo)通電阻車規(guī)N溝道MOSFET為車載設(shè)備賦能
汽車智能化的發(fā)展使車用MOSFET蘊(yùn)含巨大增量空間,據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,在ADAS、安全、信息娛樂等功能的不斷迭代下,單車MOSFET使用量可達(dá)200-400顆,前景廣闊。
也就是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,外形與普通晶體管差不多,但具有不同的控制特性,主要是通過充電和放電來切換或放大信號(hào)。東芝在MOSFET方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn),旗下有多種產(chǎn)品線。此次推出的用于車載的40V N溝道MOSFET——SSM6K804R是對(duì)公司既有產(chǎn)品的擴(kuò)充。該產(chǎn)品的最大亮點(diǎn)是滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),最高結(jié)溫達(dá)175℃,能滿足車載設(shè)備的應(yīng)用需求。
什么是N溝道MOSFET?
在MOSFET中,溝道和柵極通過薄的SiO2層分開,形成了隨柵極電壓變化的電容。因此,MOSFET就像MOS電容器一樣工作,通過輸入柵極到源極電壓進(jìn)行控制,所以,MOSFET也可以用作壓控電容器。MOSFET的結(jié)構(gòu)類似于MOS電容器,因?yàn)樵撾娙萜髦械墓杌荘型的。
分為四種類型,分別是P溝道增強(qiáng)型、N溝道增強(qiáng)型、P溝道耗盡型和N溝道耗盡型。
溝道MOSFET包括位于源極和漏極端子中間的N溝道區(qū),它是一個(gè)三端器件,其端子為G(柵極)、D(漏極)和S(源極)。在N溝道MOSFET晶體管中,源極和漏極是重?fù)诫s的N+區(qū),而主體或襯底是P型的。
器件的基本特性
東芝40V N溝道
其主要特性如下
(1)采用業(yè)界領(lǐng)先低導(dǎo)通電阻降低功耗:RDS(ON)=18mΩ(最大值)(2)TSOP6F通用封裝:尺寸為2.9mm×2.8mm×0.8mm,安裝在FR4環(huán)氧樹脂板上,尺寸為25.4mm×25.4mm×1.6mm,銅焊盤645mm2,降低了飽和熱阻,額定功耗僅為(3)4.5V驅(qū)動(dòng)
(4)漏極-源極低導(dǎo)通電阻:RDS(ON)=12mΩ(典型值)(@VGS=4.5V);RDS(ON)=9m?(典型值)(@VGS=10V)(5)最高結(jié)溫175℃
?。?)通過AEC-Q101認(rèn)證
功能特性分析
采用新工藝制造,與具有相同最大額定值的產(chǎn)品相比,它在TSOP6F級(jí)封裝中實(shí)現(xiàn)了業(yè)界先進(jìn)的低導(dǎo)通電阻,在4.5V柵極-源極電壓條件下,最大導(dǎo)通電阻為18mΩ。
此外,扁平引線封裝提高了芯片安裝能力,有助于降低熱阻。該產(chǎn)品額定功耗僅為1.5W,有助于降低設(shè)備能耗。
與東芝同等額定功耗的SOP-8封裝產(chǎn)品相比,TSOP6F封裝產(chǎn)品安裝面積約減小70%,有助于減小設(shè)備尺寸。此外,產(chǎn)品符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),能夠滿足汽車嚴(yán)苛的標(biāo)準(zhǔn)。
封裝和內(nèi)部電路
產(chǎn)品應(yīng)用方向
應(yīng)用電路示例
上圖是一個(gè)采用SSM6K804R的Boost-Buck DC-DC轉(zhuǎn)換器電路。升壓轉(zhuǎn)換器對(duì)輸入電壓進(jìn)行升壓,降壓轉(zhuǎn)換器則對(duì)輸入電壓進(jìn)行降壓。這兩種轉(zhuǎn)換器都適用于特定的應(yīng)用范圍,不過,某些應(yīng)用需要根據(jù)特定條件或迎合特定操作場(chǎng)景同時(shí)對(duì)輸入電壓進(jìn)行升壓和降壓。在這種情況下,使用兩種轉(zhuǎn)換器并不理想。因此,常見的做法是使用一個(gè)DC-DC轉(zhuǎn)換器,根據(jù)應(yīng)用使用相同的電路對(duì)電壓進(jìn)行升壓或降壓,將電壓提供給需要更高或更低電壓的設(shè)備。
除了DC-DC轉(zhuǎn)換器,SSM6K804R還適用于車載設(shè)備中的反接保護(hù)、負(fù)載開關(guān)、電源管理開關(guān)等應(yīng)用,在降低設(shè)備能耗的同時(shí),有助于減小設(shè)備尺寸。
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